Вышедшие номера
Численное моделирование собственных дефектов в SiO2 и Si3N4
Гриценко В.А.1, Новиков Ю.Н.1, Шапошников А.В.1, Мороков Ю.Н.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Электронная структура основных собственных дефектов в SiO2 и Si3N4 рассчитана в кластерном приближении методом MINDO/3 и методом функционала плотности. Рассмотрены дефекты, представляющие интерес с точки зрения их способности захватывать электроны или дырки: трех- и двухкоординированный атомы кремния, однокоординированный атом кислорода и двухкоординированный атом азота. Для рассмотренных дефектов определен выигрыш в энергии при захвате электрона или дырки с учетом электронной и атомной релаксации. Экспериментальные рентгеновские спектры эмиссии для обоих материалов сравниваются с расчетными.