Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 9 » Статья стр. 1092
<<<>>>
Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий--ртуть--теллур на << альтернативных>> подложках
Сидоров Ю.Г.1, Дворецкий С.А.1, Варавин В.С.1, Михайлов Н.Н.1, Якушев М.В.1, Сабинина И.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
PDF версия
Проведено рассмотрение процессов роста гетероэпитаксиальных структур на основе твердого раствора кадмий-ртуть-теллур на "альтернативных" подложках из GaAs и Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены физико-химические процессы роста и механизмы образования дефектов при эпитаксии CdZnTe на атомарно-чистой сингулярной и вицинальных поверхностях подложек из арсенида галлия и пленок CdHgTe на подложках CdZnTe/GaAs. Получены монокристаллические пленки ZnTe на подложках из кремния. Разработаны методы снижения дефектности пленок CdZnTe/GaAs и CdHgTe. Создано оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии, обеспечивающее выращивание гетероэпитаксиальных структур КРТ с высокой однородностью состава по площади на подложках большого диаметра при непрерывном контроле состава в процессе выращивания. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероэпитаксиальные слои КРТ на GaAs с высокими электрофизическими параметрами.
  1. O.K. Wu. Proc. SPIE, 2021, 79 (1993)
  2. A. Kawahara, A. Ajisawa, K. Myamoto, M. Kanzaki, T. Sasaki, M. Tomono, N. Oda, T. Shima, Y. Sekihara. Proc. SPIE, 2552, 411 (1995)
  3. T.J. deLyon, R.D. Ravajal, J.A. Vigil, J.E. Jensen, O.K. Wu, C.A. Cockrum, S.M. Johnson, G.M. Venzor, S.L. Baily, M.D. Kosai, W.L. Ahlgren, M.S. Smith. J. Electron. Mater., 27, 550 (1999)
  4. D.M. Jamba, J.E. Jensen, P.D. Brewer, J.A. Wilson, E.A. Patten, J.T. Caulfield, P.M. Goetz. J. Electron. Mater., 27, 747 (1998)
  5. В.А. Зубков, В.В. Калинин, В.Д. Кузьмин, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, С.И. Стенин. Поверхность, N 9, 45 (1991)
  6. J.W. Matthews. J. Vac. Sci. and Technol., 12, 126 (1975)
  7. Ю.Г. Сидоров, Е.М. Труханов. Поверхность, N 6, 106 (1992)
  8. С.А. Дворецкий, В.И. Бударных, А.К. Гутаковский, В.Ю. Карасев, Н.А. Киселев, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, С.И. Стенин. ДАН, 304, 604 (1989)
  9. I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, V.D. Kuzmin, Yu.G. Sidorov. Phys. St. Sol. (a), 126, 181 (1991)
  10. A. Krost, W. Richter, D.R.T. Zahn, K. Hingerl, H. Sitter. Appl. Phys. Lett., 57, 1981 (1990)
  11. T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda. Appl. Phys. Lett., 62, 1667 (1993)
  12. Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., Изд-во ЛГУ, 1963)
  13. М.В. Якушев, Ю.Г. Сидоров, Л.В. Соколов. Поверхность, N 10, 35 (1996)
  14. В.Г. Кеслер, М.В. Якушев, Л.М. Логвинский, Ю.Г. Сидоров. Поверхность, N 2, 58 (1997)
  15. Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev, D.N. Pridachin, V.S. Varavin, L.D. Burdina. Thin Sol. Films, 367, 203 (2000)
  16. Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, V.I. Liberman. Thin Sol. Films, 306, 253 (1997)
  17. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Опт. журн., 67, 39 (2000)
  18. К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, С.И. Чикичев, Д.Н. Придачин. Автометрия, N 4, 100 (1996)
  19. А.С. Мардежов, Н.Н. Михайлов, В.А. Швец. Поверхность, N 12, 92 (1990)
  20. K.K. Svitashev, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvetz, A.S. Mardeshov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V.I. Liberman, V.G. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29, 931 (1994)
  21. К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин. ЖТФ, 65, 110 (1995)
  22. С.А. Дворецкий, С.А. Дулин, Н.Н. Михайлов, С.В. Рыхлицкий, Ю.Г. Сидоров. Патент на изобретение N 2149366 от 20.05.2000
  23. V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. Thin Sol. Fims, 267, 121 (1995)
  24. V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. J. Cryst. Growth, 159, 1161 (1996)
  25. I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.D. Kuzmin. J. Cryst. Growth, 117, 238 (1992)
  26. P.S. Wijewarnasuriya, M. Zandian, D.D. Edwall, W.V. McLevige, C.A. Chen, J.G. Pasko, G. Hildebrandt, A.C. Chen, J.M. Arias, A.I. D'Souza, S. Rujirawat, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 27, 546 (1998)
  27. R.K. Bhan, V. Dhar, P.K. Chaudhury. Appl. Phys. Lett., 68, 2453 (1996)
  28. А.В. Войцеховский, Ю.А. Денисов, А.П. Коханенко, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.И. Либерман, Н.Н. Михайлов. Автометрия, N 4, 51 (1996)
  29. J.M. Arias, J.G. Pasko, M. Zandian, J. Bajaj, L.I. Kozlowski, R.E. DeWames, W.E. Tennant. Proc. SPIE, 2228, 210 (1994)
  30. J.M. Arias, M. Zandian, S.H. Shin, J.G. Pasko, G.M. Williams, L.O. Bubulac, R.E. DeWames, W.E. Tennant. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1646 (1991)
  31. Е.В. Сусов, Ю.Г. Сидоров, В.Н. Северцев, А.А. Комов, Г.В. Чеканова, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Л.И. Дьяконов. Автометрия, N 4, 40 (1996)
  32. В.Н. Северцев, Е.В. Сусов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Г.В. Чеканова. Автометрия, N 4, 21 (1998)
  33. В.Н. Овсюк, Ю.Г. Сидоров, В.В. Васильев, В.В. Шашкин. Прикл. физика, N 5, 58 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme