Вышедшие номера
Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий--ртуть--теллур на << альтернативных>> подложках
Сидоров Ю.Г.1, Дворецкий С.А.1, Варавин В.С.1, Михайлов Н.Н.1, Якушев М.В.1, Сабинина И.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Проведено рассмотрение процессов роста гетероэпитаксиальных структур на основе твердого раствора кадмий-ртуть-теллур на "альтернативных" подложках из GaAs и Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены физико-химические процессы роста и механизмы образования дефектов при эпитаксии CdZnTe на атомарно-чистой сингулярной и вицинальных поверхностях подложек из арсенида галлия и пленок CdHgTe на подложках CdZnTe/GaAs. Получены монокристаллические пленки ZnTe на подложках из кремния. Разработаны методы снижения дефектности пленок CdZnTe/GaAs и CdHgTe. Создано оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии, обеспечивающее выращивание гетероэпитаксиальных структур КРТ с высокой однородностью состава по площади на подложках большого диаметра при непрерывном контроле состава в процессе выращивания. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероэпитаксиальные слои КРТ на GaAs с высокими электрофизическими параметрами.