Теоретически исследован фотоемкостный эффект при низких температурах в монополярном ДП конденсаторе с полупроводниковым электродом, легированным двумя акцепторными примесями с разной энергией ионизации E_ia (глубокий акцептор) и E_ib (мелкий). Показано, что фотоемкостная чувствительность конденсатора возникает в виде пика в относительно узком интервале напряжения смещения. Максимум фотоемкостной чувствительности при постоянном напряжении зависит от температуры T как exp(E_ia/kT). Неограниченное увеличение фотоемкостной чувствительности является результатом возникновения сингулярности в зависимости концентрации акцепторных ионов от напряжения смещения при понижении температуры. Представлены емкостные и фотоемкостные характеристики для конденсатора с электродом из кремния, легированного индием и бором.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.