Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
[!t] 6 июля 2001 г. скоропостижно скончался Алексей Петрович Шотов - видный ученый-физик, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член Российской академии естественных наук (РАЕН), лауреат Ленинской и Государственной премий СССР, главный научный сотрудник Отделения физики твердого тела Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук. Алексей Петрович - человек, обладавший глубокими знаниями и научной интуицией, внес крупный вклад в физику полупроводников, обогатив ее целым рядом достижений, имеющих первостепенное научное и практическое значение. А.П. Шотов родился 7 марта 1927 г. в деревне Маврино Коробовского района Московской области. С 1942 по 1946 гг. он учился в Московском механическом техникуме, работая в ночное время на машиностроительном заводе. В 1952 г. с отличием закончил Московское высшее техническое училище им. Н.Э. Баумана с защитой дипломного проекта в Московском механическом институте (в настоящее время Московский инженерно-физический институт, МИФИ) по специальности << Физические приборы и установки>>. Затем он был направлен в лабораторию проф. Б.М. Вула Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН), в котором проработал в течение почти 50 лет в должностях младшего научного сотрудника, старшего научного сотрудника, заведующего сектором, заведующего лабораторией и главного научного сотрудника. Защитил диссертации на соискание ученой степени кандидата (1958 г.) и доктора (1968 г.) физико-математических наук. А.П. Шотов обладал широким научным кругозором, результаты его исследований принадлежат различным областям физики полупроводников. Диффузионные транзисторы, ударная ионизация и лавинный пробой, полупроводниковые лазеры, инфракрасные инжекционные лазеры и их применения, узкозонные полупроводники - все это входило в круг его личных интересов и, вместе с тем, достижений Физического института. Он - автор более 200 научных работ и 22 свидетельств на изобретения. Им обоснованы и развиты методы диффузии примесей для получения p-n-переходов в полупроводниках, созданы первые диффузионные диоды и транзисторы (1952-1953 гг.) и первые в СССР полупроводниковые лазеры (1962 г.). Фундаментальные исследования, приведшие к созданию полупроводниковых лазеров, были удостоены Ленинской премии (1964 г.). Он внес крупный вклад в физику ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках, что стало научной основой для создания приборов, работающих в лавинном режиме. Начиная с 70-х годов под его руководством проведен большой цикл работ по физике и технологии узкозонных полупроводников и квантово-размерных структур на их основе. Важным результатом этого цикла явилось создание перестраиваемых диодных лазеров, излучающих в широкой области инфракрасного спектра. Эти лазеры нашли применение в молекулярной спектроскопии высокого разрешения, для высокочувствительного спектрального анализа газов, что важно для задач экологии, в частности, для анализа загрязнения атмосферы, анализа выдыхаемых газов в медицине, а также для ряда специальных применений. Часть разработок была реализована в рамках международного сотрудничества. Данный цикл работ был удостоен Государственной премии СССР 1985 г.), а один из разработанных приборов - лазерный измеритель примесей в атмосфере - отмечен золотой медалью Международной выставки (Лейпциг, 1986 г.). А.П. Шотов вел большую педагогическую работу. Он был профессором МИФИ на специальном факультете (Высшая школа физики МИФИ-ФИАН). В 2001 г. в составе коллектива МИФИ А.П. Шотов выдвинут на соискание премии Президента Российской Федерации. До конца жизни он был лидером одной из ведущих научных школ России по физике полупроводников и квантово-размерных структур. Среди его учеников 20 кандидатов и 7 докторов наук. Он являлся членом двух диссертационных докторских Советов, бессменным членом редколегии журнала "Краткие сообщения по физике". За свою научную деятельность А.П. Шотов награжден орденом Трудового Красного Знамени, орденом << Знак Почета>> СССР и орденом Почета РФ, медалями в память 800- и 850- летия Москвы, удостоен Серебряной медали им. П.Л. Капицы РАЕН. Светлая память об Алексее Петровиче Шотове навсегда сохранится в наших сердцах. = @-111mmp40mmp150mm@-4pt & Ж.И. Алфёров, В.С. Багаев, Б.А. Волков, А.А. Гиппиус, А.И. Головашкин, С.П. Гришечкина, А.И. Демешина, И.И. Засавицкий, А.И. Исаков, Л.В. Келдыш, Ю.В. Копаев, Б.Д. Копыловский, О.Н. Крохин, А.И. Надеждинский, И.Г. Неизвестный, Н.А. Пенин, Ю.М. Попов, Н.Н. Сибельдин, В.И Стафеев, В.А. Чуенков, В.В. Шестаков, А.Э. Юнович
- S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, M. Senon, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, T. Mukai. Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Ser. 1, 899 (2000)
- S. Guha, J.M. Depuydt, M.A. Haase, J. Qiu, H. Cheng. Appl. Phys. Lett., 63, 3107 (1993)
- S. Tomiya, E. Morita, M. Ukita, H. Okuyama, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi. Appl. Phys. Lett., 66, 1208 (1995)
- E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, S. Kijima, A. Ishibashi. Electron. Lett., 34, 282 (1998)
- K. Nakano, K. Onabe, K. Hiramatsu, K. Itaya, Y. Nakano. Proc. 2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba, Japan, 1998) p. 395
- D. Albert, J. Nurnberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 74, 1957 (1999)
- V.N. Jmerik, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, N.M. Shmidt, I.V. Sedova, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, J. Cryst. Growth, 214/215, 502 (2000)
- S. Gundel, D. Albert, J. Nurberger, W. Faschinger. Phys. B, 60, R16271 (1999)
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, F. Fischer, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 73, 2104 (1998)
- H.-J. Lugauer, Th. Litz, F. Fischer, A. Waag, T. Gerhard, U. Zehnder, W. Ossau, and G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 175/176, 619 (1997)
- A.A. Toporov, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. Proc. 2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba, Japan, 1998) p. 254
- S.V. Ivanov, O.V. Nekrutkina, S.V. Sorokin, V.A. Kaygorodov, T.V. Shubina, A.A. Toporov, P.S. Kop'ev, G. Reuscher, V. Wagner, J. Geurts, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 78. 404 (2000)
- A.V. Ankudinov, A.N. Titkov, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 75, 2626 (1999)
- W.S. Capinski, M. Cardona, D.S. Katzer, H.J. Maris, K. Ploog, T. Ruf. Physica B, 263-- 264, 530 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.