Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Контакт металл--карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
В рамках простой модели проанализированы результаты измерений высоты барьера Шоттки Phinb на контакте хрома с политипами карбида кремния 8H-, 6H-, 15R-, 27R- и 4H-SiC-n-типа проводимости. Показано, что величина Phinb пропорциональна концентрации кремниевых вакансий в политипах. Обсуждаются результаты измерений Phinb на контактах палладия и платины с политипами карбида кремния.
- W. Monch. Rep. Progr. Phys., 53, 221 (1990)
- Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM-2000 [ Proc. 3 rd Europian Conf. Silicon Carbide and Related Materials, (Kloster Banz, Germany), ed. by G. Pensl, D. Stephani, M. Hundhausen. (Trans. Tech. Publications, Switzerland, 2001)]
- Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
- Р.Г. Веренченко, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП, 17, 1757 (1983)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
- А.А. Лебедев. ФТП, 33, 769 (1999)
- R. Ludeke, G. Jezequel, A. Tabel-Ibrahimi. Phys. Rev. Lett., 61, 601 (1989)
- R. Ludeke. Phys. Rev. B, 40, 1947 (1989)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, С.К. Тихонов. ФТП, 31, 597 (1997)
- P. Deak, A. Gali. J. Miro, R. Guiterrez, A. Sieck, Th. Frauenheim. Mater. Sci. Forum (Trans. Tech. Publications, Switzerland), 264--268, 279 (1998)
- J.R. Waldrop. J. Appl. Phys., 75, 4558 (1994)
- А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалов. ФТП, 29, 1828 (1995)
- Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- H.-J. Im, B. Kaczer, J.P. Pelz, J. Chen, W.J. Choyke. Mater. Sci. Forum (Trans. Tech. Publications, Switzerland), 264--268, 813 (1998)
- W. Monch. In: Control of Semiconductor Interfaces, ed. by I. Ohdomari, M. Oshima and A. Hiraki (Elsevier, Amsterdam, 1994) p. 169
- V. van Elsbergen, T.U. Kampen, W. Monch. J. Appl. Phys., 79, 316 (1996)
- G. Wellenhofer, K. Karch, P. Pavonet, U. Rossler, D. Strauch. Conf. Silicon Carbide and Related Materials [Inst. Phys. Conf. Ser., 142, Ch. 2, 301 (1996)]
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ 37, 2749 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
