Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 12 » Статья стр. 1460
<<<>>>
Сканирующая туннельная спектроскопия пленок a-C : H и a-C : H(Cu), полученных магнетронным распылением
Звонарева Т.К.1, Иванов-Омский В.И.1, Розанов В.В.2, Шаронова Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
PDF версия
Методом сканирующей туннельной спектроскопии на воздухе исследованы пленки a-C : H и a-C : H(Cu) на полупроводниковой (Si) и металлической (Cr/Si) подложках, полученные магнетронным распылением мишени (соответственно графит или графит + медь) на постоянном токе. Определялась локальная плотность электронных состояний как нормированная дифференциальная туннельная проводимость с целью зондирования отдельных кластеров sp2-фазы. Для пленок a-C : H характерно наличие четкого края валентной зоны и разный вид (изменяющийся с координатой сканирования) распределения плотности электронных состояний в области зоны проводимости; наибольшее экспериментальное значение ширины запрещенной зоны составляет ~ 3 эВ; наблюдается тенденция к устойчивому расположению уровня Ферми на энергии ~ 1 эВ выше края валентной зоны. Пленки a-C : H(Cu) с точки зрения локальной плотности электронных состояний проявляют себя как однородные, что объясняется вероятным образованием в процессе роста однородного поверхностного слоя.
  1. W. Chen, A.N. Korotkov, K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 68 (14), 1954 (1996)
  2. J. Robertson. Thin Sol. Films, 296, 61 (1997); J.D. Carey, S.R.P. Silva. Diam. Rel. Mater., 10, 873 (2001)
  3. J. Robertson, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B, 35 (6), 2946 (1987)
  4. J. Robertson. Phys. Rev. B, 53, 16 302 (1996)
  5. D.R. McKenzie. Rep. Progr. Phys., 59, 1611 (1996)
  6. K.W.R. Gilkes, S. Prawer, K.W. Nugent, J. Robertson, H.S. Sands, Y. Lifshitz, X. Shi. J. Appl. Phys., 87 (10), 7283 (2000)
  7. А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  8. J. Schwan, S. Ulrich, V. Batori, H. Ehrhardt, S.R.P. Silva. J. Appl. Phys., 80 (1), 440 (1996)
  9. В.И. Иванов-Омский, А.В. Толмачев, С.Г. Ястребов. ФТП, 35 (2), 227 (2001)
  10. R.M. Feenstra, J.A. Stroscio, A.P. Fein. Phys. Rev. Lett., 58, 1192 (1987); R.M. Feenstra, J.A. Stroscio. J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (4), 923 (1987); R.M. Feenstra. Phys. Rev. B, 50 (7), 4561 (1994)
  11. C. Arena, B. Kleinsorge, J. Robertson, W.I. Milne, M.E. Welland. J. Appl. Phys., 85 (3), 1609 (1999)
  12. S. Bhattacharyya, K. Walzer, M. Hietschold, F. Richter. J. Appl. Phys., 89 (3), 1619 (2001)
  13. V.I. Ivanov-Omskii, A.V. Tolmachev, S.G. Yastrebov. Phil. Mag. B, 73, 715 (1996)
  14. В.И. Иванов-Омский, В.И. Сиклицкий, С.Г. Ястребов. ФТТ, 40 (3), 568 (1998)
  15. A.V. Kolobov, H. Oyanagi, S.G. Yastrebov, V.I. Ivanov-Omskii, K. Tanaka. J. Surf. Analysis, 4 (2), 377 (1998)
  16. В.И. Иванов-Омский, Э.А. Сморгонская. ФТП, 32 (8), 931 (1998)
  17. Т.К. Звонарева, В.М. Лебедев, Т.А. Полянская, Л.В. Шаронова, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 34 (9), 106 (2000)
  18. А.О. Голубок, Д.Н. Давыдов, С.А. Масалов, Д.В. Нахабцев, В.А. Тимофеев. Поверхность, N 3, 146 (1989)
  19. В.И. Иванов-Омский, А.В. Толмачев, С.Г. Ястребов. ФТП, 35 (2), 227 (2001)
  20. Т.К. Звонарева, Л.В. Шаронова. ФТП, 33 (6), 742 (1999)
  21. Т.К. Звонарева, В.И. Иванов-Омский, А.В. Нащекин, Л.В. Шаронова. ФТП, 34 (1), 96 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme