Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сканирующая туннельная спектроскопия пленок a-C : H и a-C : H(Cu), полученных магнетронным распылением
Звонарева Т.К.1, Иванов-Омский В.И.1, Розанов В.В.2, Шаронова Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
Методом сканирующей туннельной спектроскопии на воздухе исследованы пленки a-C : H и a-C : H(Cu) на полупроводниковой (Si) и металлической (Cr/Si) подложках, полученные магнетронным распылением мишени (соответственно графит или графит + медь) на постоянном токе. Определялась локальная плотность электронных состояний как нормированная дифференциальная туннельная проводимость с целью зондирования отдельных кластеров sp2-фазы. Для пленок a-C : H характерно наличие четкого края валентной зоны и разный вид (изменяющийся с координатой сканирования) распределения плотности электронных состояний в области зоны проводимости; наибольшее экспериментальное значение ширины запрещенной зоны составляет ~ 3 эВ; наблюдается тенденция к устойчивому расположению уровня Ферми на энергии ~ 1 эВ выше края валентной зоны. Пленки a-C : H(Cu) с точки зрения локальной плотности электронных состояний проявляют себя как однородные, что объясняется вероятным образованием в процессе роста однородного поверхностного слоя.
- W. Chen, A.N. Korotkov, K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 68 (14), 1954 (1996)
- J. Robertson. Thin Sol. Films, 296, 61 (1997); J.D. Carey, S.R.P. Silva. Diam. Rel. Mater., 10, 873 (2001)
- J. Robertson, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B, 35 (6), 2946 (1987)
- J. Robertson. Phys. Rev. B, 53, 16 302 (1996)
- D.R. McKenzie. Rep. Progr. Phys., 59, 1611 (1996)
- K.W.R. Gilkes, S. Prawer, K.W. Nugent, J. Robertson, H.S. Sands, Y. Lifshitz, X. Shi. J. Appl. Phys., 87 (10), 7283 (2000)
- А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
- J. Schwan, S. Ulrich, V. Batori, H. Ehrhardt, S.R.P. Silva. J. Appl. Phys., 80 (1), 440 (1996)
- В.И. Иванов-Омский, А.В. Толмачев, С.Г. Ястребов. ФТП, 35 (2), 227 (2001)
- R.M. Feenstra, J.A. Stroscio, A.P. Fein. Phys. Rev. Lett., 58, 1192 (1987); R.M. Feenstra, J.A. Stroscio. J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (4), 923 (1987); R.M. Feenstra. Phys. Rev. B, 50 (7), 4561 (1994)
- C. Arena, B. Kleinsorge, J. Robertson, W.I. Milne, M.E. Welland. J. Appl. Phys., 85 (3), 1609 (1999)
- S. Bhattacharyya, K. Walzer, M. Hietschold, F. Richter. J. Appl. Phys., 89 (3), 1619 (2001)
- V.I. Ivanov-Omskii, A.V. Tolmachev, S.G. Yastrebov. Phil. Mag. B, 73, 715 (1996)
- В.И. Иванов-Омский, В.И. Сиклицкий, С.Г. Ястребов. ФТТ, 40 (3), 568 (1998)
- A.V. Kolobov, H. Oyanagi, S.G. Yastrebov, V.I. Ivanov-Omskii, K. Tanaka. J. Surf. Analysis, 4 (2), 377 (1998)
- В.И. Иванов-Омский, Э.А. Сморгонская. ФТП, 32 (8), 931 (1998)
- Т.К. Звонарева, В.М. Лебедев, Т.А. Полянская, Л.В. Шаронова, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 34 (9), 106 (2000)
- А.О. Голубок, Д.Н. Давыдов, С.А. Масалов, Д.В. Нахабцев, В.А. Тимофеев. Поверхность, N 3, 146 (1989)
- В.И. Иванов-Омский, А.В. Толмачев, С.Г. Ястребов. ФТП, 35 (2), 227 (2001)
- Т.К. Звонарева, Л.В. Шаронова. ФТП, 33 (6), 742 (1999)
- Т.К. Звонарева, В.И. Иванов-Омский, А.В. Нащекин, Л.В. Шаронова. ФТП, 34 (1), 96 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
