Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Идентификация электронно-оптических переходов в области примесных состояний в E₀-спектрах фотоотражения GaAs

Кузьменко Р.В.¹, Домашевская Э.П.¹

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В спектрах фотоотражения, измеряемых на кристаллических подложках GaAs со средним уровнем легирования в области фундаментального перехода E₀ при комнатной температуре, идентифицированы спектральные компоненты, возникающие в области электронно-оптических переходов с участием примесных состояний. Для идентификации были использованы фазовый анализ экспериментальных спектров и проведение серии измерений спектров при различной плотности лазерного возбуждения. Экспериментально определены зависимости величины примесной компоненты и фазы запаздывания от плотности лазерного возбуждения. Путем анализа экспериментальных данных установлено, что на возникновение компоненты сильное влияние оказывает состояние поверхности образца.

E. Gutsche, H. Lange. Phys. Stat. Sol., 22, 229 (1967)
D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
S.K. Brierley, D.S. Lehr. J. Appl. Phys., 67, 3878 (1990)
C. Durbin, J.P. Estrera, R. Glosser, W. Duncan, R.L. Henry, P. Nordquist, N. Bottka, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett., 61, 1549 (1992)
M. Gal, R. Shi, J. Tann. J. Appl. Phys., 66, 6196 (1989)
O.J. Glembocki, N. Bottka, J.E. Furneaux. J. Appl. Phys., 57, 432 (1985)
L. Kassel, J.W. Garland, P.M. Raccah, C. Coluzza, A. Neglia, A. DiCarlo. Appl. Surf. Sci., 56--58, 356 (1992)
S.L. Mioc, P.M. Raccah, J.W. Garland. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 261, 45 (1992)
A.N. Pikhtin, V.M. Airaksinen, H. Lipsanen, T. Tuomi. J. Appl. Phys., 65, 2556 (1989)
M. Sydor, J. Angelo, J.J. Wilson, W.C. Michtel, M.Y. Yen. Phys. Rev. B, 40, 8473 (1989)
R.L. Tober, J.D. Bruno. J. Appl. Phys., 68, 6388 (1990)
B.O. Seraphin. J. Appl. Phys., 37, 721 (1966)
S. Hildebrandt, M. Murtagh, R. Kusmenko, W. Kircher, G.M. Crean, J. Schreiber. Phys. St. Sol. (a), 152, 147 (1995)
А.В. Ганжа, В. Кирхер, Р.В. Кузьменко, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТП, 32, 272 (1998)
Р. Кузьменко, А. Ганжа, Э.П. Домашевская, В. Кирхер, Ш. Хильдебрандт. ФТП, 34, 1086 (2000)
Р. Кузьменко, А. Ганжа, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТТ, 39, 2123 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель