Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 3 » Статья стр. 309
<<<>>>
Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия на образование пронизывающих дислокаций в полупроводниковых гетероструктурах
Труханов Е.М.1, Колесников А.В.1, Василенко А.П.1, Гутаковский А.К.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.
PDF версия
Показано, что в гетероструктурах с границей раздела (001) и кристаллической решеткой типа алмаза и сфалерита полное снятие напряжений несоответствия за счет введения двух взаимно перпендикулярных семейств 60-градусных дислокаций несоответствия возможно лишь в случае одинаковых типов их винтовых составляющих. В противном случае требуется введение дополнительных семейств дислокаций несоответствия, что увеличивает вероятность образования пронизывающих дислокаций в эпитаксиальной пленке. При неоптимальном протекании процесса, когда вводятся два взаимно перпендикулярных семейства с противоположными типами винтовых составляющих, происходит накапливание избыточной энергии дальнодействующих сдвиговых напряжений. Примерами неоптимального введения дислокаций несоответствия является работа модифицированных дислокационных источников Франка-Рида и источников Хейгена-Шранка. Выполнено моделирование процесса релаксации и проведены экспериментальные исследования.
  1. J.W. Matthews. J. Vac. Sci. Technol., 12, 126 (1975)
  2. E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Reports, 7 (3), 87 (1991)
  3. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН (в печати)
  4. Yu.B. Bolkhovityanov, A.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, N.V. Nomerotsky, A.G. Paulish, A.S. Terekhov, E.M. Trukhanov. J. Cryst. Growth, 146, 310 (1995)
  5. J.C. Bean, L.C. Feldman, A.T. Fiory, S. Nakahava. J. Sci. Vac. Technol., A2, 436 (1984)
  6. M. Hohnisch, H.-J. Herzog, F. Schaffleru. J. Cryst. Growth, 157, 126 (1995)
  7. B. Beanland. J. Appl. Phys., 77, 6217 (1995)
  8. J. Washburn, E.P. Kvam. Appl. Phys. Lett., 57, 1637 (1990)
  9. C.G. Tuppen, C.J. Gibbings, M. Hockly, S.G. Roberts. Appl. Phys. Lett., 56, 54 (1990)
  10. R.E. Romanov, W. Pompe, S. Mathis, G.E. Beltz, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 85, 182 (1999)
  11. H. Strunk, W. Hagen, E. Bauser. Appl. Phys., 18, 67 (1979)
  12. R. Beanland. J. Appl. Phys., 72, 4031 (1992)
  13. A. Lefebvre, C. Herbeaux, C. Bouillet, J. Dr Persino. Phil. Mag. Lett., 63, 23 (1991)
  14. F.K. LeGoues, B.S. Meyerson, J.F. Morar, P.D. Kirchner. J. Appl. Phys., 71, 4230 (1992)
  15. K.W. Shwarz. J. Appl. Phys., 85, 108 (1999)
  16. A. Trampert, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 66 (17), 2265 (1995)
  17. J.S. Speck, M.A. Brewer, G. Beltz, A.E. Romanov, W. Pompe. J. Appl. Phys., 80, 3808 (1996)
  18. V.I. Vdovin. Phys. St. Sol., 171, 239 (1998)
  19. E.M. Trukhanov, E.B. Gorokhov, S.I. Stenin. Phys. St. Sol. (a), 33, 435 (1976)
  20. С.И. Стенин, О.П. Пчеляков, Е.М. Труханов. В кн.: Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник (М., Наука, 1976) с. 222
  21. В.Т. Рид. Дислокации в кристаллах (М., Наука, 1957)
  22. E.M. Trukhanov, K.B. Fritzler, A.V. Kolesnikov. Appl. Surf. Sci., 123/124, 664 (1998)
  23. А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластические деформации и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев, 1983)
  24. Е.М. Труханов. Поверхность, 2, 13 (1995)
  25. Е.М. Труханов. Поверхность, 2, 22 (1995)
  26. E.M. Trukhanov, A.V. Kolesnikov. Appl. Surf. Sci., 123/124, 669 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme