Анализ и уточнение математического аппарата для модифицированного времяпролетного метода
Вихров С.П.1, Вишняков Н.В.1, Маслов А.А.1, Мишустин В.Г.1
1Рязанская государственная радиотехническая академия (кафедра Микроэлектроники), Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 29 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Теоретически обоснована модифицированная времяпролетная методика для непосредственного измерения и получения профиля электрического поля в области пространственного заряда контакта типа Шоттки. Методика разработана для неупорядоченных полупроводников, таких как аморфный гидрогенизированный кремний. Проведено уточнение математического аппарата для расчета профиля поля, проведен анализ полученных результатов и показаны пределы применения модифицированной времяпролетной методики.
- Г.Б. Юшка, Э.А. Монтримас. Лит. физ. сб., 32, 612 (1992)
- А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
- Т. Тиджи. Физика гидрогенизированного кремния; вып. II Электронные и колебательные свойства (М., Мир, 1988)
- R.A. Street. Phys. Rev. B, 27, 4924 (1983)
- R.A. Street, M.J. Thompson, N.M. Johnson. Phil. Mag. B, 51, 1 (1985)
- Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
- С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов. Изв. вузов. Электроника, 3, 48 (2000)
- О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 33, 110 (1999)
- О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 33, 336 (1999)
- В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.П. Сазанов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 492 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук