Мелкие p-n-переходы в Si, изготовленные методом импульсного фотонного отжига
Шишияну С.Т.1, Шишияну Т.С.1, Райлян С.К.1
1Технический университет Молдавии, Кишинев, Молдавия
Поступила в редакцию: 21 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.
Получены и исследованы мелкие и сверхтонкие переходы, изготовленные методом стимулированной диффузии P из фосфоросиликатного стекла и B из боросиликатного стекла в Si при импульсном фотонном отжиге; исследованы их электрические, фотоэлектрические и оптические свойства. Установлены особенности стимулированной диффузии P и B в приповерхностной области кремния при фотонном отжиге. Полученные результаты обсуждаются на основе различных механизмов диффузии - kick-out, вакансионно-межузельного и диссоциативного; профили распределения примеси объясняются моделью парной вакансионно-межузельной диффузии и моделью стимулированной диффузии с учетом временной зависимости поверхностной концентрации примеси и концентрационной зависимости коэффициента диффузии.
- Н. Баграев, А.Д. Буравлев, Д.К. Клячкин, А.М. Маляренко, С.А. Рыков. ФТП, 34 (8), 725 (2000)
- S.T. Si sianu. Tehnologii neconven tionale \^in microelectronica cu tratament fotonic si difuzie stimulata (Chi sinau, Tehnica U.T.M., 1998)
- M. Draganescu. Proc. of 1997-Intermational Semiconductor Conference, 20th Edition (Sinaia, Romania, 1997)
- Н.Т. Баграев, Д.К. Клячкин, В.Л. Суханов. Письма ЖТФ, 17, 42 (1991)
- А.А. Андронов, Н.Т. Баграев, Д.К. Клячкин, А.М. Маляренко, С.В. Робозеров. ФТП, 33(1), 58 (1999); ФТП, 32(2), 137 (1998)
- A. Bousetta, J.A. Van der Berg, D. Armour, P.C. Zalm. Appl. Phys. Lett., 58 (15), 1626 (19991)
- Л.В. Докукина, С.И. Кондратенко. Электронная промышленность, N 1, 62 (1992)
- A.Yu. Kuznetsov, M. Janson, A. Hallin, B.G. Svensson, A. Nylandsted-Larsen. Nucl. Instr. Math. B, 148, 279 (1999)
- H.B. Erzgreber, P. Zaumseil, E. Bugiel, K. Tittelbach-Helmrick, F. Richter, D. Pankin, M. Trapp. J. Appl. Phys., Pt. 1, 72 (1) 73 (1992)
- Т.Д. Джафаров. Фото-стимулированные атомные процессы в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1984)
- D.C. Schmidt, B.G. Svensson, J.L. Lindstrom, S. Godey, E. Nysocnzok, J.F. Barbat, C. Blanchard. Mater. Sci. Engin. B, 57, 161 (1999)
- И.К. Синищук, Г.Е. Чайка, Ф.С. Шишияну. ФТП, 12 (4), 674 (1985)
- T.S. Shishiyanu, I.K. Sinischiuk, S.T. Shishiyanu. Int. J. Electron., 78 (4), 699 (1995)
- M. Miyake. J. Electrochem. Soc., 138 (10), 901 (1991)
- B. Hartiti, A. Slaoni, I.C. Muller, R. Stuck, P. Siffert. J. Appl. Phys., 71 (11), 5474 (1992)
- О.И. Величко, В.А. Лабунов. Микроэлектроника, 14 (6), 542 (1986)
- Ad. Agarwal, D.H. Eaglesham, H.J. Gassmann, L. Pelaz, S.B. Herner, D.C. Jacobson, T.E. Haynes. Lecture Tu-1430, Modeling enhanced diffusion of implanted dopants. http: //www.ihp-microelectronics.com/chipps/Djpg/Agarwal.html
- I.M. Dharmadasa, M. Ives, J.S. Brooks, G.F. France, S.J. Brown. Semicon. Sci. Technol., 10, 369 (1995)
- S.M. Hu. J. Appl. Phys., 45, 1567 (1974)
- R.B. Fair, J.C.C. Tsai. J. Electrochem. Soc., 124, 1107 (1977)
- R.B. Fair. Diff. and Defect Data, 37, 1 (1984)
- M.R. Pinto, D.M. Baulin, C.S. Rafferty, R.K. Smith, J.W.M. Coughran, I.C. Kizilyally, M.J. Thomas. In: IEDM-92, p. 923
- M. Uematsu. Japan. J. Appl. Phys., 38, 6188 (1999)
- M. Yoshida, M. Morooka, M. Takahashi, H. Tomokage. Japan. J. Appl. Phys., 39, 2483 (2000)
- M. Yoshida, M. Takahashi, H. Tomokage. Japan. J. Appl. Phys., 38, 36 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук