Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке методом сублимационной эпитаксии в вакууме

Савкина Н.С.¹, Ратников В.В.¹, Рогачев А.Ю.¹, Шуман В.Б.¹, Трегубова А.С.¹, Волкова А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 декабря 2001 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Слой SiC выращен методом сублимационной эпитаксии в вакууме на пористом карбиде кремния. Пористый слой SiC толщиной ~10 мкм изготовлен электрохимическим травлением разориентированной подложки 6H-SiC. Толщина выращенного эпитаксиального слоя составляла ~10 мкм. Кристаллические и оптические свойства исходной подложки, пористого и эпитаксиального слоев исследовались рентгеновскими методами и методами инфракрасного отражения и фотолюминесценции. Показано, что характеристики эпитаксиального слоя SiC, выращенного на подложке с пористым слоем, улучшились по сравнению с характеристиками слоя SiC, выращенного на стандартной подложке.

M. Mynbaeva, N. Savkina, A. Zubrilov, N. Seredova, M. Scheglov, A. Titkov, A. Tregubova, A. Lebedev, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, V. Dmitriev. Mater. Res. Soc. Symp. (2000) v. 587(C), p. 08.6.1
M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk, I. Nikitina, M. Scheglov, A. Sitnikova, N. Kuznetsov, M. Mynbaev, V. Dmitriev. Appl. Pphys. Lett., 78 (1), 117 (2001)
L.M. Sorokin, J.L. Hutchison, J. Sloan, G.N. Mosina, N.S. Savkina, V.B. Shuman, A.A. Lebedev. Technical Digest of 1 Conf. on SiC and Related Materials --- ICSCRM2001 (Tsukuba, Japan, 2001) p. 408
G. Rozgoniy, P. Petroff, M. Panish. J. Cryst. Growth, 27, 106 (1974)
A.-J. Schell-Sorokin, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 64 (9), 1039 (1990)
Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (A. Wiley-Interscience Publication, J. Wiley \& Sons Inc., 2001)
G. Stoney. Proc. Royal Soc. (London), Ser. A82, 172 (1925)
Н.С. Савкина, В.В. Ратников, В.Б. Шуман. ФТП, 35 (2), 159 (2001)
C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J.W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E.R. Weber, M.D. Bremser, R.F. Davis. Phys. Rev. B, 54 (24), 17 745 (1996)
А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, П.А. Иванов. ФТП, 29 (12), 2122 (1995)
M. Ikeda, T. Hayakawa, S. Yamagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
А.М. Данишевский, А.Ю. Рогачев. ФТП, 30 (1), 17 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель