Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
СВЧ магнитосопротивление компенсированного p-Ge : Ga в области фазового перехода изолятор--металл
Вейнгер А.И.1, Забродский А.Г.1, Тиснек Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
С помощью техники ЭПР исследовано магнитосопротивление умеренно компенсированного нейтронно-легированного Ge : Ga на сверхвысоких частотах в области фазового перехода изолятор-металл. По мере увеличения концентрации дырок в изоляторном состоянии вблизи фазового перехода наблюдается смена механизмов магнитосопротивления с характерного для прыжковой проводимости сжатия волновой функции примесных центров магнитным полем на механизм, типичный для режима слабой локализации. В последнем случае вблизи перехода (1.2· 1017 см-3) важную роль играет зависимость коэффициента диффузии от температуры, которая ослабляется на "металлической" стороне перехода. В металлическом состоянии коэффициент диффузии перестает зависеть от температуры и температурная зависимость магнитосопротивления описывается механизмом сбоя фазы в результате рассеяния на фононах. При более высоких уровнях легирования необходимо учитывать вклад электрон-электронного взаимодействия во время сбоя фазы.
- B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron-electron interactions in disordered systems, ed. by A.L. Efros, M. Polak (North-Holland, 1985) p. 1
- Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23, 3 (1989)
- K.J. Sugiyama. J. Phys. Soc. Japan., 19, 1745 (1964)
- W.W. Lee, R.J. Sladek. Phys. Rev., 158, 794 (1967)
- А.Р. Гаджиев, И.С. Шлимак. ФТП, 6, 1582 (1972)
- J. Chroboczek, A. Klokocki, K. Kopalko. J. Phys. C, 7, 3042 (1974)
- А.Н. Ионов. Письма ЖЭТФ, 29, 76 (1976)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- B.I. Shklovskii, B.Z. Spivak. In: Hopping transport in solids, ed. by M. Pollak, B. Shklovskii (Elsevier, 1991) p. 271
- M.E. Raikh, J. Czingon, Ye. Qiu, F. Koch, W. Schoepe, K. Ploog. Phys. Rev. B, 45, 6015 (1992)
- А.Г. Забродский. ФТП, 14, 1324 (1980)
- А.Г. Забродский. УФН, 168, 804 (1998)
- А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП, 28, 168 (1994)
- A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev, S.V. Egorov. Phys. St. Sol. (b), 205, 61 (1998)
- М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, Л.М. Штеренгас. ФТП, 32, 811 (1998)
- А.Г. Забродский, А.Г. Андреев, М.В. Алексеенко. ФТП, 26, 431 (1992)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Ж. Бискупски. ФТП, 32, 557 (1998)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП, 34, 774 (2000)
- C.P. Poole. Electron Spin Resonance. Comprehensive treatise on experimental techniques. (N. Y., London, Sydney J. Wiley \& Sons, 1967). [Рус. пер.: Ч. Пул. Техника ЭПР спектроскопии (М., Мир, 1970)]
- Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 81, 768 (1981)
- А.Г. Аронов, М.Е. Гершензон, Ю.Е. Журавлев. ЖЭТФ, 87, 971 (1984).
- Т.Ю. Бильгильдеева, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.И. Сайдашев. Препринт N 999, ФТИ им. А.Ф. Иоффе (Л., 1986)
- И.С. Шлимак, А.И. Ионов, Б.И. Шкловский. ФТП, 17, 503 (1983).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
