Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 7 » Статья стр. 869
<<<>>>
GaAs в GaSb --- напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона
Соловьев В.А.1, Торопов А.А.1, Мельцер Б.Я.1, Терентьев Я.В.1, Кютт Р.Н.1, Ситникова А.А.1, Семенов А.Н.2, Иванов С.В.1, Motlan 3, Goldys E.M.3, Копьев П.С.1
1Физико-технический инстут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Division on Information and Communication Sciences, Macquarie University, North Ryde, NSW, Australia
Поступила в редакцию: 11 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
PDF версия
Впервые сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии нового типа гетероструктур GaAs/GaSb, содержащих ультратонкие (0.8-3 монослоя) слои GaAs в GaSb, и исследовании их методами рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. В таких структурах, в отличие от изученных к настоящему времени структур с самоорганизующимися квантовыми точками, слой GaAs в GaSb находится под воздействием растягивающих упругих напряжений (рассогласование решеток 7%). В структурах GaAs/GaSb обнаружена интенсивная фотолюминесценция в области волн вблизи 2 мкм при низких температурах. Показано образование квантово-размерных островков при номинальной толщине слоя GaAs 1.5 монослоя и более. Установлено, что предложенные структуры имеют зонную диаграмму типа II.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  2. A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen, A. Konkar. Appl. Phys. Lett., 64, 2727 (1994)
  3. F. Hatami, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Bhrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gsele, J. Heydenreich, U. Richter, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 67, 656 (1995)
  4. E.R. Glaser, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook, R. Magno. Appl. Phys. Lett., 68, 3614 (1996)
  5. H. Marchand, P. Desjardins, S. Guillon, J.-E. Paultre, Z. Bougrioua, R.Y.-F. Yip, R.A. Masut. Appl. Phys. Lett., 71, 527 (1997)
  6. N. Carlsson, W. Seifert, A. Petersson, P. Castrillo, M.E. Pistol, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 65, 3093 (1994)
  7. G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67, 2681 (1995)
  8. E.R. Glaser, T.A. Kennedy, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook. Phys. Rev. B, 59, 2240 (1999)
  9. R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 75, 373 (1999)
  10. R.N. Kyutt, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Surf. Sci., 166, 278 (2000)
  11. E. Bithnel, W. Stobbs. Phil. Mag. A, 60, 39 (1989)
  12. C.G. van der Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme