Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Время-разрешенная фотолюминесценция поликристаллических слоев GaN на металлических подложках
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт научных и промышленных исследований, университет г. Осака, 56 Осака, Япония
2Институт научных и промышленных исследований, университет г. Осака, 56 Осака, Япония
Поступила в редакцию: 13 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Изучена низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция поликристаллических слоев GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на металлических подложках (Mo и Ta). Наблюдавшиеся спектры фотолюминесценции содержат в ультрафиолетовой области спектра две полосы излучения, одну из которых мы относим к рекомбинационным процессам внутри кубических нанокристаллитов, образующихся в гексагональной поликристаллической матрице нитрида галлия. Рекомбинационное излучение кубических нанокристаллитов усиливается благодаря преимущественному захвату неравновесных электронно-дырочных пар в эти кристаллиты.
- S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode (Springer Verlag, Berlin, 1997)
- N.Q. Zhang, B. Moran, S.P. DenBaars, U.K. Mishra, X.W. Wang, T.P. Ma. Phys. St. Sol. (A), 188, 213 (2001)
- S. Strite, M. Marcoc. J. Vac. Sci. Technol., B10, 1237 (1992)
- F.A. Ponce. MRS Bull., 22, 51 (1997)
- K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, S. Gonda. J. Cryst. Growth, 188, 98 (1998)
- M. Hikori, H. Asahi, H. Tampo, K. Asami, S. Gonda. J. Cryst. Growth, 209, 209 (2000)
- H. Asahi, K. Iwata, H. Tampo, R. Kuroiwa, M. Hiroki, K. Asami, S. Nakamura, S. Gonda. J. Cryst. Growth, 201/202, 371 (1999)
- K. Yamada, H. Asahi, H. Tampo, Y. Imanishi, K. Ohnishi, K. Asami. Proc. IWN2000, Sept. 24--27 (Nagoya, Japan, 2000) p. 553; IPAP Conf. Ser., 1, 556
- R. Dingle, M. Ilegems. Sol. St. Commun., 9, 175 (1971); В.Ю. Некрасов, Л.В. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев, ФТП, 33 (12), 1428 (1999)
- B. Monemar. Phys. Rev. B, 10, 676 (1974); G. Ramirez-Flores, H. Navarrow-Contreras, Lastras-Martinez, R.C. Powell, J.E. Greene. Phys. Rev. B, 50, 8433 (1994)
- A.V. Andrianov, D.E. Lacklison, J.W. Orton, D.J. Dewsnip, S.E. Hooper, C.T. Foxon. Semicond. Sci. Technol., 11, 366 (1996)
- S. Marcinkevicius, R. Leon. Phys. Rev. B, 59, 4630 (1999)
- L. Zhang, Thomas F. Boggesss, K. Gundogdu, Michael E. Flatte, D.G. Deppe, C. Cao, O.B. Shchekin. Phys. Rev. B, 79, 3320 (2001)
- L. Chernyak, A. Osinsky, H. Temkin, Y.W. Yang, Q. Chen, M. Asif Khan. Appl. Phys. Lett., 69, 2531 (1996)
- G.D. Chen, M. Smith, J.Y. Lin, H.X. Jiang, S.H. Wei, M. Asif Khan, C.J. Sun. Appl. Phys. Lett., 68, 2784 (1996)
- J. Menniger, U. Jahn, O. Brandt, H. Yang, K. Ploog. Phys. Rev. B, 53, 188 (1996)
- A.V. Andrianov, D.E. Lacklison, J.W. Orton, T.S. Cheng, C.T. Foxon, K.P. O'Donnel, J.F.H. Nicholls. Semicond. Sci. Technol., 12, 59 (1997)
- B.C. Chung, M. Gershenzon. J. Appl. Phys., 72, 651 (1992)
- G.D. Chen, M. Smith, J.Y. Lin, H.X. Jiang, S.H. Wei, M. Asif Khan, C.J. Sun. J. Appl. Phys., 78, 2675 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
