Вышедшие номера
Время-разрешенная фотолюминесценция поликристаллических слоев GaN на металлических подложках
Андрианов А.В.1, Ямада К.2, Тампо Х.2, Асахи Х.2, Некрасов В.Ю.1, Петровская З.Н.1, Сресели О.М.1, Зиновьев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт научных и промышленных исследований, университет г. Осака, 56 Осака, Япония
Поступила в редакцию: 13 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Изучена низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция поликристаллических слоев GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на металлических подложках (Mo и Ta). Наблюдавшиеся спектры фотолюминесценции содержат в ультрафиолетовой области спектра две полосы излучения, одну из которых мы относим к рекомбинационным процессам внутри кубических нанокристаллитов, образующихся в гексагональной поликристаллической матрице нитрида галлия. Рекомбинационное излучение кубических нанокристаллитов усиливается благодаря преимущественному захвату неравновесных электронно-дырочных пар в эти кристаллиты.