Впервые предложена идея двумерного p-n-перехода, представляющего собой контакт между двумя областями квантово-размерной пленки с разным типом электропроводности. В равновесных условиях найдено распределение потенциала и высота потенциального барьера. Получено выражение для ширины слоя поверхностного заряда, которая в отличие от трехмерного случая зависит линейно от контактной разности потенциалов (внешнего смещения). Удельная емкость двумерного p-n-перехода практически не зависит от внешнего смещения и определяется лишь диэлектрической проницаемостью окружающей среды. Показано, что, несмотря на слабость экранирования контактного электрического поля, для описания свойств таких p-n-переходов можно использовать приближение Шоттки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.