Влияние мелких примесей на температурную зависимость микротвердости и фотомеханического эффекта в полупроводниках
Герасимов А.Б.1, Чирадзе Г.Д.1
1Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
Поступила в редакцию: 30 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
Приведены результаты исследований влияния мелкой донорной примеси на температурную зависимость микротвердости и фотомеханического эффекта в монокристаллическом кремнии. Показано, что с увеличением концентрации примеси изменяется температурная зависимость темновой микротвердости, уменьшается величина фотомеханического эффекта и температурный интервал его существования. Полученные данные объясняются на основе механизма уменьшения микротвердости с ростом температуры за счет увеличения концентрации фононов и антисвязывающих квазичастиц, при этом за наблюдаемые изменения фотомеханического эффекта ответственным является перераспределение концентрации антисвязывающих квазичастиц, созданных межзонными переходами и переходами с примесных уровней, которые обладают разной величиной расслабляющего действия.
- А.Б. Герасимов, З.В. Джибути, Г.Д. Чирадзе. Сообщ. АН Грузии, 142, 53 (1991)
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 40, 503 (1998)
- A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bibilashvili, Z.G. Bokhochadze. Proc. Tbilisi University, Ser. Physics, 34, 86 (1999)
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе. ФТП, 35, 70 (2001)
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе. ФТП, 35, 385 (2001)
- G.C. Kuchynski, R.H. Hochman. Phys. Rev., 108, 946 (1957)
- A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bilibashvili, Z.G. Bokhochadze. Proc. Tbilisi University, Ser. Physics, 34, 79 (1999)
- A.B. Gerasimov. In: Proc. Fourth Int. Mater. Sci. Forum (N.Y., 1990) v. 65--66, p. 47
- У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1, с. 92
- A.B. Gerasimov, Z.G. Bokhochadze, M.T. Vepkhvadze, N.D. Gochaleishvili, E.T. Maziashvili, Z.D. Samadashvili, G.D. Chiradze. Bull. Georgian Acad., 163, 458 (2001)
- В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (М., Высш. шк., 1984) с. 65
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук