Вышедшие номера
Влияние мелких примесей на температурную зависимость микротвердости и фотомеханического эффекта в полупроводниках
Герасимов А.Б.1, Чирадзе Г.Д.1
1Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
Поступила в редакцию: 30 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Приведены результаты исследований влияния мелкой донорной примеси на температурную зависимость микротвердости и фотомеханического эффекта в монокристаллическом кремнии. Показано, что с увеличением концентрации примеси изменяется температурная зависимость темновой микротвердости, уменьшается величина фотомеханического эффекта и температурный интервал его существования. Полученные данные объясняются на основе механизма уменьшения микротвердости с ростом температуры за счет увеличения концентрации фононов и антисвязывающих квазичастиц, при этом за наблюдаемые изменения фотомеханического эффекта ответственным является перераспределение концентрации антисвязывающих квазичастиц, созданных межзонными переходами и переходами с примесных уровней, которые обладают разной величиной расслабляющего действия.