Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительность структур на основе тройных соединений I--III_n--VI_m с упорядоченными вакансиями

Боднарь И.В.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.³, Якушев М.В.⁴

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Universaty of Strathclyde, G40NG Glasgow, UK

Поступила в редакцию: 4 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

PDF версия

Выращены однородные кристаллы тройных соединений CuIn₃Se₅, CuGa₃Se₅, CuGa₅Se₈ и определены их физико-химические параметры. На основе указанных соединений впервые созданы фоточувствительные структуры, исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования и оценена ширина запрещенной зоны. Показано, что эти соединения являются материалами с прямыми межзонными переходами. Установлено, что ширина запрещенной зоны тройных соединений I-III_n-VI_m определяется природой и содержанием образующих элементарную ячейку атомов.

T. Negami. Sol. St. Phenomena, 67--68. 349 (1999)
B. Esene, M. Wagner, D. Wolf, G. Muller. J. Cryst. Growth, 198/199, 321 (1999)
S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yoshida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)
S.H. Wei, S.B. Tsang, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 3199 (1998)
N.M. Gasanly, A. Serpengurel, A. Audinly, O. Gurli, I. Vilmax. J. Appl. Phys., 85, 3198 (1999)
И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 805 (1999)
G. Martin, R. Marques, S.M. Wasim, R. Guevara. Jap. J. Appl. Phys., 39, Suppl. 39--1, 44 (2000)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984). [S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (N.-Y., Willey Interscience Publ., 1981)]
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1975)
J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties, and Applications (Oxford, Pergamon Press, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель