О температурной зависимости проводимости электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрик--металл
Давыдов А.Б.1, Аронзон Б.А.1, Бакаушин Д.А.2, Веденеев А.С.2
1РНЦ "Курчатовский институт", Институт молекулярной физики, Москва, Россия
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
На примере кремниевых транзисторных структур типа металл-нитрид-окисел-полупроводник с инверсионным n-каналом и предельно высокой (<=1013 см-2) концентрацией встроенных зарядов (источников электростатического флуктуационного потенциала) обсуждаются экспериментальные зависимости проводимости мезоскопических квазидвумерных электронных систем от температуры (4.2-300 K) в условиях перколяционного перехода диэлектрик-металл. В рамках формализма Ландауэра-Буттикера анализируются перевальные области флуктуационного потенциала, которые, представляя собой точечные квантовые контакты между ямами хаотического потенциального рельефа, определяют как характер электронного переноса, так и условия перехода диэлектрик-металл. Показано соответствие результатов анализа температурных и полевых (от потенциала затвора) зависимостей проводимости. Восстановлена форма эффективного потенциального барьера для туннельного транспорта электронов через перевальные области.
- Y. Meir. Phys. Rev. Lett., 83, 3506 (199)
- В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
- Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, А.Б. Давыдов, Е.З. Мейлихов, Н.К. Чумаков. ФТП, 35, 448 (2001)
- Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, Е.З. Мейлихов, В.В. Рыльков. Письма в ЖЭТФ, 66, 633 (1997)
- Б.А. Аронзон, А.С. Веденеев, В.В. Рыльков. ФТП, 31, 648 (1997)
- M. Buttiker. Phys. Rev. B, 41, 906 (1990)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
- A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii. Phys. Low-Dim. Structur., 6, 75 (1994)
- A. Kamenev, W. Kohn. arXiv: cond-matt/0103488 (2001)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- D.G. Polyakov, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. Lett., 74, 150 (1995)
- А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук