В Санкт-Петербурге с 23 по 24 октября 2001 года проходил Международный симпозиум "Фото- и электролюминесценция редкоземельных элементов в полупроводниках и диэлектриках". Его организаторами выступили Российская академия наук в лице Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербургский государственный технический университет. Председатель оргкомитета - Е. И. Теруков, сопредседатель - В. К. Иванов и секретарь оргкомитета - И. Н. Трапезникова. На симпозиуме было представлено 50 докладов. В работе симпозиума принимали участие ученые из Швеции, Канады, России, Белoруссии, Украины и Казахстана. Симпозиум был посвящен памяти профессора В. Ф. Мастерова - одного из основоположников работ по исследованию и применению аморфных полупроводников, легированных редкоземельными элементами (РЗЭ). В ходе пленарного заседания, посвященного научной деятельности проф. В. Ф. Мастерова, были заслушаны лекции ведущих ученых в области исследований РЗЭ в полупроводниках: З. Ф. Красильника, G. V. Hansson, П. Г. Баранова, Е. И. Терукова, В. Г. Голубева, М. М. Мездрогиной и других, в которых были сделаны как обзоры последних достижений физики РЗЭ в полупроводниках, так и освещен вклад проф. В. Ф. Мастерова в данной области исследований (докладчики, проф. В. К. Иванов и проф. В. И. Иванов-Омский). Работа симпозиума проходила по трем выделенным тематическим направлениям. 1. РЗЭ в полупроводниковых кристаллах и диэлект- 14pt риках. 2. РЗЭ в неупорядоченных средах. 3. Технические приложения РЗЭ. В докладах, посвященных РЗЭ в полупроводниковых кристаллах и диэлектриках, большое внимание было уделено развитию различных теоретических моделей образования центров излучательной рекомбинации в Si, изучению особенностей спектров фотолюминесценции в полупроводниках и диэлектриках, легированных РЗЭ, исследованию излучения ионов различных РЗЭ и явлениям переноса энергии при излучении. Внимание участников симпозиума привлекли доклады В. В. Козловского, Е. С. Демидова, А. О. Захарьина, М. М. Мездрогиной. В докладах, посвященных РЗЭ в неупорядоченных средах, рассматривались фотолюминесценция РЗЭ в пористых материалах, в аморфных двойных сплавах, в композитах, различные способы введения РЗЭ в пористые материалы, влияние термического отжига на люминесценцию ионов РЗЭ. В этой секции внимание участников привлекли доклады Н. В. Гапоненко, Э. Э. Колесника, D. Khoptyar, I. Molchan, В. Г. Голубева. Особое внимание вызвали работы В. П. Бондаренко с соавторами, в которых сообщалось об обнаружении сверхтонкой структуры спектров фотолюминесценции в пористом кремнии, легированном Er и Fe. Этот эффект объясняется авторами образованием высокоупорядоченных нанокластеров, состоящих из атомов кремния, кислорода, эрбия и железа. Оригинальными по замыслу и пионерскими по исполнению являются работы В. Г. Голубева с соавторами, исследовавшими люминесценцию ионов эрбия в композите опал-Er₂O₃. Введение в поры опала материалов, содержащих Er и излучающих в видимой и в ближней инфракрасной областях, открывает перспективу создания нового класса элементов телекоммуникационных систем обработки и передачи информации. Заслуживает внимание работа D. Khoptyar с соавторами, в которой обсуждается проблема гашения фотолюминесценции эрбия в оптических кварцевых усилителях за счет процесса миграции возбуждения по Er-подсистеме. В тематике симпозиума были широко представлены доклады о технических приложениях РЗЭ. Так, это направление было представлено работами по исследованию эффектов протекания тока в гетеропереходах на базе материалов, легированных РЗЭ (И. Тягульский с соавторами); по исследованию вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик светоизлучающих структур, легированных РЗЭ (А. Якименко); по изучению катодолюминесценции РЗЭ для решения задачи получения керамики для иммобилизации радиоактивных отходов (М. Заморянская с соавторами); по исследованию возможности применения диэлектрических слоев, легированных РЗЭ, для создания электролюминесцентных дисплеев (А. Андреев с соавторами). На дискуссии, завершающей симпозиум, была отмечена своевременность проведения, актуальность и высокий научный уровень симпозиума. Отмечено, что большое количество работ выполнено на высоком научном уровне, отвечающем современному состоянию мировой науки. Разработки многих вопросов являются приоритетными, например обнаружение стимулированного излучения в пленках аморфного Si, легированного Er (так называемый лазерный эффект); разработка планарных микрорезонаторов на длину волны 1.54 мкм; получение трехмерных массивов нанокластеров Er₂O₃ в матрице опала, исследование свойств пористого кремния, легированного РЗЭ и т. д. Согласно данным, отраженным в тезисах докладов симпозиума, 5 работ получают финансовую поддержку от РФФИ, 7 работ поддержаны грантами Министерства науки и Федеральным центром программ "Интеграция". По материалам симпозиума опубликован сборник трудов, а наиболее интересные доклады были рекомендованы программным комитетом симпозиума для опубликования в настоящем выпуске журнала "Физика и техника полупроводников". Проведение симпозиума стало возможным благодаря поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-26102), ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН Председатель оргкомитета   Е.И. Теруков

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.