Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Проводимость и структура пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием a-Si : H(Er)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
Проведенные исследования показали, что структура пленки a-Si : H(Er), используемой в качестве рабочего слоя в электролюминесцентной структуре, является столбчатой. Диаметры столбов лежат в интервале 60-100 Angstrem. Проводимость в такой структуре различается в зависимости от направления тока. При комнатной температуре в планарной геометрии транспорт осуществляется с помощью механизма перескоков по локализованным состояниям вблизи края зоны проводимости, в пределах "хвоста" зоны. В сэндвич-геометрии проводимость осуществляется по границам столбов, где проводимость выше, по механизму прыжковой проводимости на уровне Ферми.
- M.S. Bresler, O.B. Gusev, V. Kh. Kudoyarova. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
- J.H. Shin, R. Serna, G.N. van den Hoven. Appl. Phys. Lett., 68, 997 (1996)
- A.R. Zanatta, Z.A. Nunes, L.R. Tessler. Appl. Phys. Lett., 70, 997 (1997)
- Rare Earth Doped Semiconductors, Proc. E-MRC Spring Conf. (Strasbourg, France, May 30--June 2, 2000)
- O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, E.I. Terukov, M.S. Bresler. Appl. Phys. Lett., 70, 240 (1997)
- О.И. Коньков, А.Н. Кузнецов, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, Л.С. Границына. Письма ЖТФ, 27 (13), 30 (2001)
- М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, В. Фус, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 38 (4), 1189 (1996)
- E.I. Terukov, O.I. Konkov, V.Kh. Kudoyarova, K.V. Koughia, G. Weiser, H. Kuehne, J.P. Kleider, C. Longeaud, R. Bruggemann. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 614 (2000)
- P.G. Le Comber, W.E. Spear. Phys. Rev. Lett., 25, 509 (1970)
- В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, О.Б. Кудрявцев, Б.Я. Бер, Г.М. Гусинский, В. Фус, Г. Вейзер, Х. Кюне. ФТП, 32 (11), 1384 (1998)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах, пер. с англ. (М., Мир, 1974) с. 162
- P.G. Le Comber, A. Madan, W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 20, 239 (1972)
- А.А. Андреев, О.А. Голикова, М.М. Казанин, О.И. Коньков, М.М. Мездрогина, В.А. Фейгельман. ФТП. 15 (6), 1210 (1981)
- А.А. Андреев, О.И. Коньков, Н.А. Феoктистов, Т. Тургунов. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук, 2, 87 (1985)
- R. Messier, R.C. Ross. J. Appl. Phys., 53, 6220 (1982)
- J.C. Knight, R.A. Lujan. Appl. Phys. Lett., 35, 244 (1979)
- R.C. Ross, R. Messier. J. Appl. Phys., 52, 5329 (1981)
- О.И. Коньков, Е.И. Теруков, Л.С. Границина. ФТП, 35 (10), 1250 (2001)
- R.A. Gresswell, M.M. Perlmann. J. Appl. Phys., 41, 2365 (1970)
- S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 78, 3867 (1995)
- В.С. Лысенко, И.П. Тягульский, И.Н. Осиюк, А.Н. Назаров. Я.Н. Вовк, Ю.В. Гоменюк, Е.И. Теруков, О.И. Коньков. ФТП, 35 (6), 649 (2001)
- J.S. Custer, A. Polman, H.M. van Pinxteren. J. Appl. Phys., 75, 2809 (1994)
- А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников, пер. с англ. (М., Мир, 1991) с. 93
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
