Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb / AlSbAs

Соловьев В.А.¹, Терентьев Я.В.¹, Торопов А.А.¹, Мельцер Б.Я.¹, Семенов А.Н.¹, Ситникова А.А.¹, Иванов С.В.¹, Meyer J.R.², Копьев П.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Naval Research Laboratory, Washington DC, USA

Поступила в редакцию: 16 мая 2002 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Гетероструктуры с одиночными квантовыми ямами InAs_1-xSb_x / AlSb_1-yAs_y были получены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaSb (001) и исследованы методами рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. В структурах обнаружена интенсивная люминесценция при температуре 80 K с полушириной пика 30-50 мэВ и длиной волны в дипапзоне 2-4.5 мкм в зависимости от толщины квантовой ямы, которая варьировалась от 4 до 20 нм соответственно. Проведен расчет края фундаментального поглощения таких квантовых ям в широком диапазоне составов x и y. Получено хорошее соответствие между экспериментальными и теоретическими зависимостями ширины запрещенной зоны InAsSb / AlSbAs-квантовой ямы от ее толщины.

S.J. Eglash, H.K. Choi. Appl. Phys. Lett., 64, 833 (1994)
H.K. Choi, G.W. Turner, Z.L. Liau. Appl. Phys. Lett., 65, 2251 (1994)
B. Brar, H. Kroemer, J. Ibbetson, J.H. English. Appl. Phys. Lett., 62, 3303 (1993)
Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
A. Wilk, F. Genty, B. Fraisse, G. Boissier, P. Grech, M.El. Gazouli, P. Christol, J. Qswald, T. Simecek, E. Hulicius, A. Joullie. J. Cryst. Growth, 223, 341 (2001)
A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Mel'tser, V.S. Sorokin, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Proc. 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 78 (2001)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
D.C. Houghton, M. Davies, M. Dion. Appl. Phys. Lett., 64, 505 (1994)
E. Bithnel, W. Stobbs. Phil. Mag. A, 60, 39 (1989)
K.P. Q'Donell, P.J. Parbrook, F. Yang, X. Chen, C. Trager-Cowan. Physica B, 191, 45 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель