Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Релаксация с излучением фононов возбужденных состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии

Цыпленков В.В.¹, Жукавин Р.Х.¹, Шастин В.Н.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 12 августа 2013 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассчитаны низкотемпературные темпы релаксации возбужденных состояний доноров висмута при излучении фононов в одноосно-деформированном в кристаллографическом направлении [100] кристалле кремния. Рассмотрены состояния, принадлежащие как нижним (2Delta), так и верхним (4Delta) долинам зоны проводимости кремния. Показана возможность инверсии населенностей состояний донора висмута в верхних (4Delta) долинах зоны проводимости кремния при оптической накачке.

К.А. Ковалевский, Р.Х. Жукавин, В.В. Цыпленков, В.Н. Шастин, Н.В. Абросимов, Г. Риман, С.Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс. ФТП, 47, 199 (2013)
T.G. Castner. Phys. Rev., 130, 58 (1963)
E.E. Orlova. 26^th Int. Conf. on Physics of Semiconductors: 29 July-2 Aug., 2002. Cambridge, Great Britain. In: J.H. Davies, A.R. Long (eds). Publisher: Institute of Physics. Publishing ISBN: -7503-0924-5. Conf. Proc., v. 3, p. 123
V. Tyuterev, J. Sjakste, N. Vast. Phys. Rev. B, 81, 245 212 (2010)
N.Q. Vinh, B. Redlich, A.F.G. van der Meer, C.R. Pidgeon, P.T. Greenland, S.A. Lynch, G. Aeppli, B.N. Murdin. Phys. Rev. X, 3, 011 019 (2013)
C. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55 (3), 645 (1983)
Е.В. Демидов, М.С. Кузнецов, В.В. Цыпленков, В.Н. Шастин. Матер. X Симпоз. по нанофизике и наноэлектронике (ИФМ РАН, Н. Новгород, 13-17 марта 2006 г.) т. 2, с. 320 (2006)
В.В. Цыпленков, Е.В. Демидов, К.А. Ковалевский, В.Н. Шастин. ФТП, 42, 1032 (2008)
В.В. Цыпленков, К.А. Ковалевский, В.Н. Шастин. ФТП, 43, 1450 (2009)
Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) с. 584
R.J. Bell, W.T. Bousman, G.M. Goldman, D.G. Rathbun. Surf. Sci., 7, 293 (1067)
D.K. Wilson, G. Feher. Phys. Rev., 124 (4), 1068 (1961)
G. Dolling. In: Inelastic Scattering of Neutrons in Solids and Liquids (IAEA, Vienna), 11, 37 (1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель