Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование постростового процесса изготовления квантовых каскадных лазеров
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 4 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
Исследован процесс специальной постростовой обработки структур для квантовых каскадных лазеров, включающий в себя заращивание высокоомным материалом - фосфидом индия с концентрацией носителей n~5·1010 см-3, фотолитографию с применением различных химических жидкостных травителей и создание специальных контактов для обеспечения повышенного теплоотвода. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяет достичь необходимых параметров, удовлетворяющих требования к высококачественным приборам.
- Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 797 (1971)
- J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Science, 264, 553 (1994)
- C. Gmachl, F. Capasso, D.L. Sivco, A.Y. Cho. Rep. Progr. Phys., 64, 1533 (2001)
- A. Tahraoui, A. Matlis, S. Slivken, J. Diaz, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 78, 416 (2001)
- L. Ajili, G. Scalari, J. Faist, H. Beer, E. Linfield, D. Ritchie, G. Davies. Appl. Phys. Lett., 85, 3986 (2004)
- J. Faist, V. Beck, T. Aellen. Appl. Phys. Lett., 78, 147 (2001)
- D. Hofstetter, M. Beck, T. Aellen, J. Faist, U. Oesterle, M. Ilegems, E. Gini, H. Melchior. Appl. Phys. Lett., 78, 1964 (2001)
- В.В. Мамутин, В.М. Устинов, J. Boetthcher, H. Kuenzel. ФТП, 44, 995 (2010)
- A. Tsekoun, R. Go, M. Pushkarsky, M. Razeghi, C.K.N. Patel. PNAS (Proc. Nat. Acad. Sci. USA), 103, 4831 (2006)
- A. Evans, S.R. Darvish, S. Slivken, J. Nguyen, Y. Bai, M. Razeghy. Appl. Phys. Lett., 91, 071 101 (2007); M. Chashnikova, G. Monastyrskyi, A. Aleksandrova, M. Klinkmuller, M.P. Semtsiv, W.T. Masselink. Appl. Phys. Lett., 100, 213 504 (2012)
- В.В. Мамутин, Н.Д. Ильинская, Б.В. Пушный, Р.В. Левин, Ю.М. Шерняков. Письма ЖТФ, 39, 32 (2013)
- V.V. Mamutin, V.M. Ustinov, N.D. Ilyinskaya, M.V. Baydakova, B.Y. Ber, D.Y. Kasantsev. J. Phys.: Conf. Ser., 291, 012008 (2011)
- В.В. Мамутин, В.М. Устинов, J. Boetthcher, H. Kuenzel. Письма ЖТФ, 36 (9), 34 (2010)
- A. Bismuto, S. Riedi, B. Hinkov, M. Beck, J. Faist. Semicond. Sci. Technol., 27, 045 013 (2012)
- R. Blanchard, C. Grezes, S. Menzel, C. Pflu, L. Diehl, Y. Huang, Jae-Hyun Ryou, Russell D. Dupuis, Federico Capasso. Appl. Phys. Lett., 100, 033502 (2012)
- A. Bismuto, M. Beck, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 98, 191 104 (2011)
- P. Fuchs, J. Semmel, J. Friedl, S. Hofling, J. Koeth. Appl. Phys. Lett., 98, 211 118 (2011)
- J.S. Yu, S. Slivken, S.R. Darvish, A. Evans, B. Gokden, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 87, 041 104 (2005)
- M.P. Semtsiv, M. Ziegler, S. Dressler, W.T. Masselink, N. Georgiev, T. Dekorsy, M. Helm. Appl. Phys. Lett., 85, 1478 (2004)
- A. Evans, J.S. Yu, J. David, L. Doris, K. Mi, S. Slivken, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 84, 314 (2004)
- A. Evans, S.R. Darvish, S. Slivken, J. Nguyen, Y. Bai, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 91, 071 101 (2007)
- Y. Bai, N. Bandyopadhyay, S. Tsao, E. Selcuk, S. Slivken, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 97, 251 104 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
