Вышедшие номера
Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в интервале температур 4.2-300 K
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Конакова Р.В.1, Капитанчук Л.М.3, Шеремет В.Н.1, Свешников Ю.Н.4, Пилипчук А.С.5
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Москва, Россия
5Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Экспериментально исследована и теоретически объяснена температурная зависимость удельного контактного сопротивления rhoc(T) омических контактов Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в диапазоне температур T=4.2-300 K. Показано, что в низкотемпературной области измерений (4.2-50 K) наблюдается участок насыщения rhoc(T). С повышением температуры величина rhoc уменьшается по экспоненциальному закону. Экспериментальная и расчетная зависимости rhoc(T) согласуются между собой. Полученные результаты позволяют сделать вывод о полевой природе токопереноса на участке насыщения rhoc(T) и термополевой - на экспоненциальном.