Метод регистрации матриц проводимости анализируется с целью изучения свойств кремниевых наноструктур, выполненных в рамках холловской геометрии на поверхности Si (100) n-типа и представляющих собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором. В рамках предлагаемого подхода полный ток, протекающий через мультиконтактную кремниевую наноструктуру, записывается в матричной форме как I=G· V, где I и V - столбцы токов и напряжений для каждого из N контактов, G - матрица проводимости размерности Nx N, однозначно описывающая проводимость исследуемой структуры с учетом вклада сопротивления контактных площадок. Демонстрируется высокая чувствительность матричных элементов к изменению состояния поверхности кремниевой наноструктуры в условиях осаждения раствора ацетата натрия, содержащего одноцепочные синтетические олигонуклеотиды. Обсуждаются перспективы практического применения полученных результатов при разработке современных биосенсеров на основе регистрации матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых наноструктур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.