Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния
Мынбаева М.Г.1, Головатенко А.А.1,2, Печников А.И.2, Лаврентьев А.А.1, Мынбаев К.Д.1,3, Николаев В.И.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Исследованы особенности выращивания гетерокомпозиции GaN/AlN/Si, в которой слои нитридов элементов III группы выращены на кремниевой подложке методом хлорид-гидридной эпитаксии. Рассмотрено влияние температуры выращивания буферного слоя AlN на диффузионные процессы на гетерограницах и на качество выращиваемых эпитаксиальных слоев. Показано, что при используемом методе эпитаксии буферный слой должен выращиваться при высоких температурах (1080oC), поскольку при этом минимизируется толщина области перемешивания компонентов и формируются резкие границы раздела в гетерокомпозиции GaN/AlN/Si. Двухстадийное выращивание нитрида галлия на высокотемпературном буферном слое AlN толщиной 300-400 нм позволяет получать слои GaN толщиной до 0.3 мкм без образования трещин.
- D. Zhu, D.J. Wallis, C.J. Humphreys. Rep. Progr. Phys., 76, 106 501 (2013)
- K. Hiramatsu. In: Advances in Crystal Growth Research, ed. by K. Sato, Y. Furukawa and K. Nakajima (Amsterdam, Elsevier, 2001) p. 210
- X. Dong-Juan, Z. You-Dou, C. Peng, Z. Zuo-Ming, C. Ping, X. Shi-Yong, J. Ruo-Lian, S. Bo, G. Shu-Lin, Z. Rong. Chin. Phys. Lett., 19, 543 (2002)
- H. Amano. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 050 001 (2013)
- G. Radtke, M. Couillard, G.A. Botton, D. Zhu, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 100, 011 910 (2012)
- G. Radtke, M. Couillard, G.A. Botton, D. Zhu, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 97, 251 901 (2010)
- B.S. Zhang, M. Wu, X.M. Shen, J. Chen, J.J. Zhu, J.P. Liu, G. Feng, D.G. Zhao, Y.T. Wang, H. Yang. J. Cryst. Growth, 258, 34 (2003)
- S. Raghavan, J.M. Redwing. J. Cryst. Growth, 261, 294 (2004)
- Y. Lu, X. Liu, X. Wang, D.-C. Lu, D. Li, X. Han, G. Cong, Z. Wang. J. Cryst. Growth, 263, 4 (2004)
- Yu.V. Melnik, A.E. Nikolaev, S. Stepanov, I.P. Nikitina, K. Vassilevski, A. Ankudinov, Yu. Musikhin, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 264--268, 1121 (1998)
- V.E. Bougrov, M.A. Odnoblyudov, A.E. Romanov, T. Lang, O.V. Konstantinov. Phys. Status Solidi A, 203, R25 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
