Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Ru
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина 
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 17 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.
Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические и кинетические характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Ru, в диапазонах температур T=80-400 K, концентраций Ru NARu~9.5·1019-5.7·1020 см-3 (x=0-0.03). Установлен механизм генерирования структурных дефектов, приводящий к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении концентрации и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ~1% атомов Ni из позиций Hf (4a), генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Ni в позициях 4c атомами Ru и генерировании дефектов донорной природы в виде вакансий в позиции Sn (4b). Результаты расчета электронной структуры HfNi1-xRuxSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.
- S.R. Culp, S.J. Poon, N. Hickman, Т.M.J. Tritt. Appl. Phys. Lett., 88, (16), 042 106 (2006)
- V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)
- В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 46, 1130 (2012)
- В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 47, 1157 (2013)
- R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
- V.K. Pecharsky, P.U. Zavalij. Fundamentals of Powder Diffraction and Structural Characterization of Materials (N.Y., Springer, 2005)
- T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum ( Proc. EPDIC7), 378- 381, 118 (2001)
- M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
- V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N.Y., Pergamon Press, 1978)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
- В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41, 1059 (2007)
- В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
