Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ

Новиков В.А.¹, Григорьев Д.B.¹

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 8 апреля 2014 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами атомно-силовой микроскопии проведено исследование распределения контактной разности потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок Cd_xHg_1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изменение состава твердого раствора в области V-дефекта приводит к изменению величины контактной разности потенциалов. Показано, что в области V-дефекта состав твердого раствора изменяется на ~ 0.05 (2.5 ат.%) в сторону увеличения содержания ртути, а по периферии V-дефекта наблюдается область обеднения ртутью на 0.36 ат.%. Из анализа распределения поверхностного потенциала показано, что эпитаксиальная пленка КРТ, кроме макроскопических V-дефектов, содержит несформировавшиеся V-дефекты диаметром менее 1 мкм.

А. Рогальский Инфракрасные детекторы, пер. с англ. под ред. А.В. Войцеховского. (Новосибирск, Наука, 2003)
В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров и др. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона (Новосибирск, Наука, 2001)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин и др. ФТП, 35, 1092 (2001)
I.V. Sabinina et al. J. Cryst. Growth, 117, 238 (1992)
Е.В. Пермикина, А.С. Кашуба, И.А. Никифоров. Успехи прикл. физики, 1, 510 (2013)
А.С. Кашуба, А.В. Заблоцкий, Е.В. Коростылев и др. Вестн. МИТХТ, 5, 19 (2010)
С.Н. Якунин, Н.Н. Дремова. Письма ЖЭТФ, 87, 580 (2008)
C.-S. Jiang, H.R. Moutihno, D.J. Friedman, J.F. Geisz, M.M. Al-Jassim. Appl. Phys. Lett., 93, 10 035 (2003)
А.В. Анкудинов, А.Н. Титков, R. Laiho, В.А. Козлов. ФТП, 36, 1138 (2002)
Doukkali, S. Ledain, C. Guasch, J. Bonnet. Appl. Surf. Sci., 235, 507 (2004)
KI.-D. Katzer, W. Mertin, G. Bacher. Appl. Phys. Lett., 89, 103 522 (2006)
Н.А. Торхов, В.А. Новиков. ФТП, 43, 1109 (2009)
Zozime and C. Vermeulin. Rev. Phys. Appl,, 23, 1825 (1988)
I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, A.V. Latyshev. J. Cryst. Growth, 274, 339 (2005)
В.В. Арбенина, А.С. Кашуба, Е.В. Пермикина. Вестн. МИТХТ, 8, 82 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель