Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 3 » Статья стр. 342
<<<>>>
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений AIIBVI для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой
Гронин С.В.1, Седова И.В.1, Рахлин М.В.1, Байдакова М.В.1, Копьев П.С.1, Вайнилович А.Г.2, Луценко Е.В.2, Яблонский Г.П.2, Гамов Н.А.2, Жданова Е.В.3, Зверев М.М.3, Рувимов C.С.1,4, Иванов С.В.1, Сорокин С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
4Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, IN Notre Dame, USA
Поступила в редакцию: 10 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
PDF версия
Рассмотрены основные подходы при конструировании и выращивании методом молекулярно-пучковой эпитаксии лазерных гетероструктур на основе системы (Zn,Mg)(S,Se) с множественными плоскостями квантовых точек CdSe или квантовых ям ZnCdSe. Приведена методика расчета компенсирующих короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/ZnSe в активной и волноводной областях лазерных гетероструктур для структур с различной толщиной волновода и числом активных областей. Предложен способ уменьшения плотности неравновесных точечных дефектов в активной области лазерных структур AIIBVI посредством использования режима эпитаксии с повышенной миграцией при выращивании квантовой ямы ZnSe, ограничивающей плоскость квантовых точек CdSe. Продемонстрировано рекордно низкое значение пороговой плотности мощности (Pthr~0.8 кВт/см2) при комнатной температуре для гетероструктуры лазера с оптической накачкой с одиночной плоскостью квантовых точек CdSe/ZnSe.
  1. S. Gundel, D. Albert, J. Nurnberger, W. Faschinger. Phys. Rev. B, 60, R16271 (1999)
  2. S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, G.V. Klimko, K.G. Belyaev, S.V. Ivanov, A. Alyamani, E.V. Lutsenko, A.G. Vainilovich, G.P. Yablonskii. Electron. Lett., 48 (2), 118 (2012)
  3. М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, С.В. Иванов, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, П.С. Копьев. Письма ЖТФ 33 (24), 1 (2007)
  4. M.M. Zverev, N.A. Gamov, E.V. Zdanova, V.N. Studionov, D.V. Peregoudov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, P.S. Kop'ev, I.M. Olikhov, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi B, 247 (6), 1561 (2010)
  5. Е.В. Луценко, А.Г. Войнилович, Н.В. Ржеуцкий, В.Н. Павловский, Г.П. Яблонский, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, И.В. Седова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани. Квант. электрон., 43 (5), 418 (2013)
  6. S.V. Sorokin, E.V. Lutsenko, I.V. Sedova, S.V. Gronin, S.V. Ivanov, A.G. Vainilovich, N.V. Rzheutskii, G.P. Yablonskii. Abstracts 17th Eur. Molecular Beam Epitaxy Workshop (Levi, Finland, 2013) p. 239
  7. K. Yanashima, H. Nakajima, K. Tasai, K. Naganuma, N.i Fuutagawa, Y. Takiguchi, T. Hamaguchi, M. Ikeda, Y. Enya, Sh. Takagi, M. Adachi, T. Kyono, Y. Yoshizumi, T. Sumitomo, Y. Yamanaka, T. Kumano, Sh. Tokuyama, K. Sumiyoshi, N. Saga, M. Ueno, K. Katayama, T. Ikegami, T. Nakamura. Appl. Phys. Express, 5 (8), 082 103 (2012)
  8. S. Takagi, Y. Enya, T. Kyono, M. Adachi, Y. Yoshizumi, T. Sumitomo, Y. Yamanaka, T. Kumano, S. Tokuyama, K. Sumiyoshi, N. Saga, M. Ueno, K. Katayama, T. Ikegami, T. Nakamura, K. Yanashima, H. Nakajima, K. Tasai, K. Naganuma, N. Fuutagawa, Y. Takiguchi, T. Hamaguchi, M. Ikeda. Appl. Phys. Express, 5 (8), 082 102 (2012)
  9. A. Colli, E. Pelucchi, A. Franciosi. Appl. Phys. Lett., 83 (1), 81 (2003); A. Colli, E. Carlino, E. Pelucchi, V. Grillo, F. Franciosi. J. Appl. Phys., 96 (5), 2592 (2004)
  10. A. Ohtake, T. Hanada, K. Arai, T. Komura, S. Miwa, K. Kimura, T. Yasuda, C. Jin, T. Yao. J. Cryst. Growth, 201/202, 490 (1999)
  11. B.J. Wu, G.M. Haugen, J.M. DePuydt, L.H. Kuo, L. Salamanca-Riba. Appl. Phys. Lett., 68 (20), 2828 (1996)
  12. S.V. Gronin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, G.V. Klimko, K.G. Belyaev, A.V. Lebedev, A.A. Sitnikova, A.A. Toropov, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi C, 9, 1833 (2012)
  13. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev, J.R. Kim, H.D. Jung, H.S. Park. J. Cryst. Growth, 159 (1--4), 16 (1996)
  14. J.H. Neave, B.A. Joyce, P.J. Dobson, N. Norton. Appl. Phys. Lett. A, 31, 1 (1983)
  15. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.L. Krestnikov, N.N. Faleev, B.Ya. Ber, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 70 (1998)
  16. Jan H. van der Merwe, W.A. Jesser. J. Appl. Phys., 63 (5), 1509 (1988)
  17. С.В. Иванов, А.А. Торопов, С.В. Сорокин, Т.В. Шубина, Н.Д. Ильинская, А.В. Лебедев, И.В. Седова, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Х.Д. Лугауэр, Г. Решер, М. Кайм, Ф. Фишер, А. Вааг, Г. Ландвер. ФТП, 32 (10), 1272 (1998)
  18. I.V. Sedova, S.V. Sorokin, A.A. Sitnikova, R.V. Zolotareva, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Proc. 7th Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 1999) p. 547
  19. I.V. Sedova, E.V. Lutsenko, S.V. Gronin, S.V. Sorokin, A.G. Vainilovich, A.A. Sitnikova, G.P. Yablonskii, A. Alyamani, D.L. Fedorov, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. Appl. Phys. Lett., 98, 171 103 (2011)
  20. F. Tinjod, I.-C. Robin, R. Andre, K. Kheng, H. Mariette. J. Alloys Comp., 371 (1--2), 63 (2004)
  21. M.M. Zverev, N.A. Gamov, E.V. Zhdanova, V.B. Studionov, D.V. Peregoudov, S.V. Gronin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov. Abstracts 16th Int. Conf. Laser Optics 2014" (St.-Petersburg, Russia, 2014) ThR3-p09
  22. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova. In: Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production, ed. by M. Henini (Elsevier Inc., 2013) p. 611
  23. M.M. Zverev, N.A. Gamov, E.V. Zhdanova, D.V. Peregoudov, V.B. Studionov, S.V. Gronin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov. Abstracts 16th Int. Conf. Laser Optics 2014" (St.-Petersburg, Russia, 2014) ThR3-p08
  24. I.V. Sedova, S.V. Sorokin, A.A. Sitnikova, O.V. Nekrutkina, A.N. Reznitsky, S.V. Ivanov. Inst. Phys. Conf. Ser. N 174, ed. by M. Ilegems, G. Weimann and J. Wagner, Section 3, p. 161 (2003)
  25. J.M. Gaines. Phil. J. Res. 49, 245 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme