Работа посвящена обзору методов прогнозирования электронной структуры полупроводниковых неупорядоченных твердых растворов преимущественно изоэлектронного замещения. Особое внимание уделено методам аналитического исследования существующих моделей твердых растворов. Приведено приближенное уравнение для порога локализации электронных состояний в модели Лифшица и оценена погрешность этого уравнения. С помощью уравнений Фаддеева выполнен анализ вкладов возмущающего потенциала одиночной примеси и искажений кристаллической решетки в окрестности примесного центра. Выполнены оценки вкладов собственно примесных потенциалов и объемных эффектов в формирование электронной структуры твердых растворов полупроводников. Приведены методы вычисления матричных элементов возмущающих потенциалов изоэлектронных примесей в растворах с учетом деформационных эффектов. Представлена схема расчета зависимости ширины запрещенной зоны многокомпонентных растворов от состава. Выполнен сравнительный анализ различных методов прогнозирования связанных состояний электронов на одиночных изоэлектронных примесях в полупроводниках. Представлена теория энергетического спектра заряженных примесей в изоэлектронных твердых растворах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.