Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние СВЧ-обработок на люминесцентные свойства монокристаллов CdS и CdTe : Cl

Редько Р.А.¹, Будзуляк С.И.¹, Корбутяк Д.В.¹, Лоцько А.П.¹, Вахняк Н.Д.¹, Демчина Л.А.¹, Калитчук С.М.¹, Конакова Р.В.¹, Миленин В.В.¹, Быков Ю.В², Егоров С.В.², Еремеев А.Г.²

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 16 декабря 2014 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние микроволнового излучения на люминесцентные свойства монокристаллов CdS и CdTe : Cl. Выяснено, что кратковременное (≤30 с) микроволновое излучение приводит к существенной модификации примесно-дефектной структуры исследуемых полупроводников. Обсуждаются механизмы трансформации дефектной подсистемы монокристаллов A^IIB^VI под действием микроволновой обработки. Показано, что изменения, которые наблюдаются в эксперименте, связаны с атермическим действием микроволнового излучения при удельной мощности 7.5 Вт/см² и в большей степени при 90 Вт/см².

Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, П.М. Ткачук. УФЖ, 44, 730 (1999)
T. Takanashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 950 (2001)
А.А. Беляев, А.Е. Беляев, И.Б. Ермолович и др. ЖТФ, 68, 49 (1998)
Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк и др. ФТП, 45, 1175 (2011)
И.Б. Ермолович, Р.В. Конакова, В.В. Миленин и др. Физика и химия твердого тела, 7, 763 (2006)
И.Б. Ермолович, Г.В. Миленин, В.В. Миленин и др. ЖТФ, 77, 71 (2007)
Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Е.В. Корбут, М.М. Борисюк. Теллурид кадмия: примесно-дефектные состояния и детекторные свойства (Киев, Иван Федоров, 2000)
H.-Y. Shin, C.-Y. Sun. J. Cryst. Growth, 186, 354 (1998)
И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, М.К. Шейнкман. ФТП, 9, 1620 (1975)
I.B. Ermolovich, V.V. Gorbunov. Phys. Status Solidi B, 106, 45 (1981)
I.B. Ermolovich, G.I. Matvievskaya, M.K. Sheinkman. J. Luminesc., 10, 58 (1975)
Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, А.А. Федонюк. ФТП, 31, 1013 (1997)
А.В. Ключник. ЖТФ, 62, 99 (1992)
П.Ю.М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель