Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 7 » Статья стр. 932
<<<>>>
Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si
Лаврухин Д.В.1,2, Ячменев А.Э.1,2, Бугаев А.С.1,2, Галиев Г.Б.1, Климов Е.А.1, Хабибуллин Р.А.1,2, Пономарев Д.С.1,2, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены структуры на основе "низкотемпературного" GaAs с введенными delta-слоями кремния. После проведения отжига структур при температурах 520 и 580oC с помощью спектроскопии фотолюминесценции обнаружены особенности в области энергий фотонов 1.28-1.48 эВ, которые связаны с образованием точечных дефектов и их комплексов. Методом "накачка-зондирование" в геометрии пропускания света определены характерные времена жизни неравновесных носителей тока в изготовленных структурах: tauc~ 1.2-1.5 пс.
  1. I.S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E. Beere, E.H. Lineld, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett., 83 (20), 4199 (2003)
  2. G.H. Dohler, F. Renner, O. Klar, M. Eckardt, A. Schwanhauyer, S. Malzer, D. Driscoll, M. Hanson, A.C. Gossard, G. Loata, T. Loffler, H.G. Roskos. Semicond. Sci. Technol., 20, 178 (2005)
  3. Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.А. Суворова, В.В. Чалдышев, P. Werner. ФТП, 32 (7), 769 (1998)
  4. M.V. Baidakova, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.N. Nevedomsky, M.A. Yagovkina, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Acta Crystallogr. B, 69, 30 (2013)
  5. E.S. Harmon, M.R. Melloch, J.M. Woodall, D.D. Nolte, N. Otsuka, C.L. Chang. Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2248 (1993)
  6. F.W. Smith, A.R. Calawa, C.-L. Chen, M.J. Manfra, L.J. Mahaney. IEEE Electron. Dev. Lett., 2, 77 (1988)
  7. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, Ю.В. Федоров, А.С. Бугаев. НМСТ, 6, 28 (2014)
  8. X. Zheng, Y. Xu, R. Sobolewski, R. Adam, M. Mikulics, M. Siegel, P. Kordos. Appl. Optics, 42 (9), 1726 (2003)
  9. T. Obata, S. Fukushima, T. Araya, N. Otsuka. J. Cryst. Growth, 227, 112 (2001)
  10. M.R. Brozel, G.E. Stillman. Properties of gallium arsenide, 3rd edn (INSPEC, London, 1996)
  11. D.C. Look, J.T. Grant, J.R. Sizelove. Appl. Phys. Lett., 61 (11), 1329 (1992)
  12. D.C. Look, D.C. Walters, G.D. Robinson, J.R. Sizelove, M.G. Mier, C.E. Stutz. J. Appl. Phys., 74 (1), 306 (1993)
  13. J.K. Luo, H. Thomas, D.V. Morgan, D. Westwood. J. Appl. Phys., 79 (7), 3622 (1996)
  14. M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
  15. J. Terso. Phys. Rev. Lett., 52 (6), 465 (1984)
  16. A. Miyagawa, T. Yamamoto, Y. Ohnishi, J.T. Nelson, T. Ohachi. J. Cryst. Growth, 237, 1434 (2002)
  17. M.H. Zhang, Y.F. Zhang, Q. Huang, C.L. Bao, J.M. Sun, J.M. Zhou. J. Cryst. Growth, 209, 37 (2000)
  18. K.L. Kavanagh, J.C.P. Chang, P.D. Kirchner, A.C. Warren, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 62 (3), 286 (1993)
  19. S. Sinha, B.M. Arora, S. Subramanian. J. Appl. Phys., 79 (1), 427 (1996)
  20. L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75 (10), 4779 (1994)
  21. A.A. Bernussi, C.F. Souza, W. Carvallio, D.I. Lubyshev, J.C. Rossi, P. Rasmaji. Braz. J. Phys., 24 (1), 460 (1994)
  22. H.K. Nguyen, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83, 718 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme