Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si

Лаврухин Д.В.^1,2, Ячменев А.Э.^1,2, Бугаев А.С.^1,2, Галиев Г.Б.¹, Климов Е.А.¹, Хабибуллин Р.А.^1,2, Пономарев Д.С.^1,2, Мальцев П.П.¹

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия Bauman Moscow State Technical University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 26 ноября 2014 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены структуры на основе "низкотемпературного" GaAs с введенными delta-слоями кремния. После проведения отжига структур при температурах 520 и 580^oC с помощью спектроскопии фотолюминесценции обнаружены особенности в области энергий фотонов 1.28-1.48 эВ, которые связаны с образованием точечных дефектов и их комплексов. Методом "накачка-зондирование" в геометрии пропускания света определены характерные времена жизни неравновесных носителей тока в изготовленных структурах: tau_c~ 1.2-1.5 пс.

I.S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E. Beere, E.H. Lineld, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett., 83 (20), 4199 (2003)
G.H. Dohler, F. Renner, O. Klar, M. Eckardt, A. Schwanhauyer, S. Malzer, D. Driscoll, M. Hanson, A.C. Gossard, G. Loata, T. Loffler, H.G. Roskos. Semicond. Sci. Technol., 20, 178 (2005)
Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.А. Суворова, В.В. Чалдышев, P. Werner. ФТП, 32 (7), 769 (1998)
M.V. Baidakova, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.N. Nevedomsky, M.A. Yagovkina, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Acta Crystallogr. B, 69, 30 (2013)
E.S. Harmon, M.R. Melloch, J.M. Woodall, D.D. Nolte, N. Otsuka, C.L. Chang. Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2248 (1993)
F.W. Smith, A.R. Calawa, C.-L. Chen, M.J. Manfra, L.J. Mahaney. IEEE Electron. Dev. Lett., 2, 77 (1988)
Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, Ю.В. Федоров, А.С. Бугаев. НМСТ, 6, 28 (2014)
X. Zheng, Y. Xu, R. Sobolewski, R. Adam, M. Mikulics, M. Siegel, P. Kordos. Appl. Optics, 42 (9), 1726 (2003)
T. Obata, S. Fukushima, T. Araya, N. Otsuka. J. Cryst. Growth, 227, 112 (2001)
M.R. Brozel, G.E. Stillman. Properties of gallium arsenide, 3rd edn (INSPEC, London, 1996)
D.C. Look, J.T. Grant, J.R. Sizelove. Appl. Phys. Lett., 61 (11), 1329 (1992)
D.C. Look, D.C. Walters, G.D. Robinson, J.R. Sizelove, M.G. Mier, C.E. Stutz. J. Appl. Phys., 74 (1), 306 (1993)
J.K. Luo, H. Thomas, D.V. Morgan, D. Westwood. J. Appl. Phys., 79 (7), 3622 (1996)
M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
J. Terso. Phys. Rev. Lett., 52 (6), 465 (1984)
A. Miyagawa, T. Yamamoto, Y. Ohnishi, J.T. Nelson, T. Ohachi. J. Cryst. Growth, 237, 1434 (2002)
M.H. Zhang, Y.F. Zhang, Q. Huang, C.L. Bao, J.M. Sun, J.M. Zhou. J. Cryst. Growth, 209, 37 (2000)
K.L. Kavanagh, J.C.P. Chang, P.D. Kirchner, A.C. Warren, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 62 (3), 286 (1993)
S. Sinha, B.M. Arora, S. Subramanian. J. Appl. Phys., 79 (1), 427 (1996)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75 (10), 4779 (1994)
A.A. Bernussi, C.F. Souza, W. Carvallio, D.I. Lubyshev, J.C. Rossi, P. Rasmaji. Braz. J. Phys., 24 (1), 460 (1994)
H.K. Nguyen, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83, 718 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель