Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al₂O₃/n-GaN

Иванов П.А.¹, Потапов А.С.¹, Николаев А.E.^1,2, Лундин В.В.^1,2, Сахаров А.В.^1,2, Цацульников А.Ф.^1,2, Афанасьев А.В.³, Романов А.А.³, Осачев Е.В.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 февраля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены и проанализированы вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al₂O₃/n-GaN. Пленки GaN n-типа проводимости выращены на сапфировых подложках с ориентацией (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Оксид алюминия толщиной 60 нм нанесен на поверхность GaN методом атомно-слоевого осаждения из газовой фазы. Металлические контакты напылены электронно-лучевым испарением титана и алюминия в вакууме. По данным измерений напряженность поля пробоя оксида, относительная диэлектрическая проницаемость оксида и интегральная плотность электронных состояний на границе раздела оксид - полупроводник составляют 5·10⁶ В/см, 7.5 и 3·10¹² см^-2 соответственно.

N. Ikeda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, S. Yoshida. Proc. IEEE, 98, 1151 (2010)
H. Kambayashi, Y. Satoh, S. Ootomo, T. Kokawa, T. Nomura, S. Kato, T.P. Chow. Sol. St. Electron., 54, 660 (2010)
J. Son, V. Chobpattana, B.M. McSkimming, S. Stemmer. Appl. Phys. Lett., 101, 102 905 (2012)
W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, M.M. Rozhavskaya, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, S.I. Troshkov, M.A. Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov. J. Cryst. Growth, 370, 7 (2013)
В.В. Лучинин, Е.В. Осачев, А.А. Романов, Э.А. Майоров. Вакуумная техника и технология, 24, 28 (2014)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
L.M. Termann. Sol. St. Electron., 5, 285 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель