Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование токовых неустойчивостей в гетеропереходах Мn₄Si₇-Si<Mn>-Мn₄Si₇ и Мn₄Si₇-Si<Mn>-М

Камилов Т.С.¹, Аксенова Л.Л.², Шарипов Б.З.¹, Эрнст И.В.¹

¹Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

²Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 24 февраля 2015 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности токовых неустойчивостей в гетеропереходах Мn₄Si₇-Si<Mn>-Мn₄Si₇ и Мn₄Si₇-Si<Mn>-М при низких температурах и при "собственном" освещении с hnu≥ 1.12 эВ. Показано, что при высоких приложенных напряжениях можно получить автоколебания низкой частоты, связанные с усилением и гашением фотопроводимости.

Т.С. Камилов, В.В. Клечковская, Б.З. Шарипов, Г.И. Ивакин. ЖТФ, 83 (6), 128 (2013)
Т.С. Камилов, В.В. Клечковская, Б.З. Шарипов, А. Тураев. ЖТФ, 83 (8), 98 (2013)
T.S. Kamilov, B.L. Sadullaev, U.Sh. Ganiev., B.T. Kamilov. Semicond. Sci. Tehnol., 13, 496 (1998)
T.S. Kamilov, V.P. Chirva, D.K. Kabilov. Semicond. Sci. Tehnol., 14, 1012 (1999)
Д.М. Шукурова, А.С. Орехов, Б.З. Шарипов, В.В. Клечковская, Т.С. Камилов. ЖТФ, 81 (10), 44 (2011)
Д.М. Шукурова, Т.С. Камилов, Б.З. Шарипов, В.В. Клечковская, А.С. Орехов. Узб. физ. журн., 12 (3), 132 (2010)
Е.С. Камилов, И.В. Эрнст, А.Ю. Самунин. ЖТФ, 84 (12), 96 (2014)
А.В. Лыков. Теплообмен (Справочник). 2-е изд., перераб. и доп. (М., Энергия, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель