Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике varepsilon-GaSe
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
2Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
2Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Высота барьера Шоттки (Au, Pd, Pt, Cu, Ag, Sn, In, Al, Mg, Ca, Li, Cs)/GaSe(0001) как функция работы выхода металла, а также разрывы энергетических зон гетеропар InSe(0001)/GaSe(0001) и GaSe(0001)/Si(111) проанализированы в рамках концепции уровня зарядовой нейтральности, CNL(GaSe)=Evb+0.83 эВ, с учетом частичного экранирования интерфейсного электростатического диполя индуцированными металлом (полупроводником) состояниями туннельного типа на поверхности GaSe(0001).
- W. Schottky. Phys. Z., 41, 570 (1940)
- J. Bardin. Phys. Rev., 71, 717 (1947)
- J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 53, 465 (1984)
- J. Robertson, B. Falabretti. J. Appl. Phys., 100, 014 111 (2006)
- W. Monch. Appl. Surf. Sci., 92, 367 (1996)
- В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, С.Ю. Саркисов. ФТП, 44(9), 1194 (2010). (V.N. Brudnyi, A.V. Kosobutsky, S.Yu. Sarkisov. Semiconductors, 44 (9), 1158 (2010))
- P.C. Leung, G. Andermana, W.G. Spitzer, C.A. Mead. J. Phys. Chem. Sol., 27, 849 (1966)
- S. Kurtin, T.C. McGill, C.A. Mead. Phys. Rev. B, 3, 3368 (1971)
- G.J. Hughes, F. MacKinley, R.H. Williams, I.T. Mc Govern. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, L159 (1982)
- А.Г. Кязым-заде, А.О. Губиев, В.И. Тагиров. ФТП, 15, 173 (1981). (A.G. Kyazym-zade, A.O. Gubiev, V.I. Tagirov. Sov. Phys. Semicond., 15, 102 (1981))
- H. Raqqass, J.-P. Lacharme, C.A. Sebenne, M. Eddrief, S. LeThanh. Appl. Surf. Sci., 92, 357 (1996)
- Wen-Chang Hyang, Chia-Tsung Horng, Tu-Min Chen, Yu-Kuei Hsu, Chen-Shiung Chang. Phys. Status Solidi C, 5 (10), 3405 (2008)
- Wen-Chang Hyang, Shui-Hsiang Su, Yu-Kuei Hsu, Chih-Chia Wang, Chen-Shiung Chang. Superlat. Microstruct., 40, 644 (2006)
- CRC Handbook of Chemistry and Physics version (2008), p. 12--114
- H. Reqqass, J.-P. Lachme, C.A. Sebenne, M. Eddrief, V.L. Than. Appl. Phys. Lett., 92, 357 (1996)
- O. Lang, A. Klein, C. Pettenkofer, W. Jaegermann. J. Appl. Phys., 80 (7), 3817 (1996)
- R.L. Anderson. Solid State Electron., 5, 341 (1962)
- W. Monch. Appl. Phys. Lett., 72 (15), 1899 (1998)
- V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
