Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структура и оптические спектры пропускания напыленных при низких температурах нанокомпозитных пленок ZnS-SiO₂

Крылов П.Н.¹, Закирова Р.М.¹, Князев И.А.¹, Костенков Н.В.¹, Романов Э.А.¹, Федотова И.В.¹

¹Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия Udmurt State University, Izhevsk, Russia

Поступила в редакцию: 26 февраля 2015 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

PDF версия

Представлены исследования процессов формирования нанокомпозитных пленок ZnS-SiO₂ методом термического дискретного испарения при пониженных температурах конденсации на сверхвысоковакуумной установке. Показано, что нанокомпозитные пленки ZnS-SiO₂ содержат аморфную матрицу SiO₂ и нанокристаллы сульфида цинка ZnS. Форма и размеры нанокристаллитов зависят от температуры конденсации.

J. Mu, D. Gu, Z. Xu. Appl. Phys. A, 80, 1425 (2005)
В.Г. Дубровский. Теоретические основы полупроводниковой нанотехнологии (СПб., 2006)
S.V. Gaponenko. Optical properties of semiconductor nanocrystals (Cambridge University Press, Cambridge, 1998)
S. Nizamoglu, T. Qzel, E. Sari, H.V. Demir. Nanotechnology, 18, 709 (2007)
А.И. Екимов, А.А. Онущенко, А.Г. Плюхин, Ал.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 88, 490 (1985)
A.I. Ekimov, Al.L. Efros, A.A. Onushchenco. Sol. St. Commun., 56 (11), 921 (1985)
A.I. Ekimov, Al.L. Efros, M.G. Ivanov, A.A. Onushchenco, S.K. Shumilov. Sol. St. Commun., 69, 565 (1989)
J. Alle`gre, G. Arnaud, H. Mathieu, P. Lefebvre, W. Granier, L. Boudes. J. Cryst. Growth, 138, 998 (1994)
H. Mathieu, T. Richard, J. Alle`gre, P. Lefebvre, G. Arnaud. J. Appl. Phys., 77, 287 (1995)
M.C. Klein, F. Hache, D. Ricard, C. Flytzanis. Phys. Rev. B, 42 (11), 123 (1990)
T. Tokizaki, H. Akiyama, M. Takaya, A. Nakamura. J. Cryst. Growth, 117, 603 (1992)
M.G. Bawendi, W.L. Wilson, L. Rothberg, P.J. Carroll, T.M. Jedju, M.L. Steigerwald, L.E. Brus. Phys. Rev. Lett., 65, 1623 (1990)
V. Esch, K. Kang, B. Fluegel, Y.Z. Hu, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch, N. Peygambarian, L.C. Liu, S.H. Risbud. Int. J. Non. Opt. Phys., 1, 25 (1992)
T. Rajh, O.I. Micic, A.J. Nozik. J. Phys. Chem., 97 (11), 999 (1993)
O.V. Salata, P.J. Dobson, P.J. Hull, J.L. Hutchison. Appl. Phys. Lett., 65, 189 (1994)
O.I. Mircirc, C.J. Curtis, K.M. Jones, J.R. Sprague, A.J. Nozik. J. Phys. Chem., 98, 4966 (1994)
В.А. Гайсин, С.В. Карпов, С.В. Микушев. Вестн. СПбГУ. Сер. 4., Физика, химия, 2, 119 (2005)
P. Lefebvre, T. Richard, J. Alle`gre, H. Mathieu, A. Pradel, J.L. Marc, L. Boudes, W. Granier, M. Ribes. Superlatt. Microstruct., 15, 447 (1994)
S. Schuppler, S.L. Friedman, M.A. Marcus, D.L. Adler, Y.-H. Xie, F.M. Ross, T.D. Harris, W.L. Brown, Y.J. Chabal, L.E. Brus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 72 (16), 2648 (1994)
S. Schuppler, S.L. Freidman, M.A. Marcus, D.L. Adler, Y.-H. Xie, F.M. Ross, Y.J. Chabal, T.D. Harris, L.E. Brus, W.L. Brown, E.E. Chaban, P.F. Szajowski, S.B. Christman, P.H. Citrin. Phys. Rev. B, 25 (7), 4910 (1995)
S.H. Tolbert, A.B. Herhold, L.E. Brus, A.P. Alivisatos. Phys. Rev. Lett., 76 (23), 4384 (1996)
R.N. Bhargava, D. Gallagher, X. Hong, A. Nurmikko. Phys. Rev. Lett., 72 (3), 416 (1994)
Y.L. Soo, Z.H. Ming, S.W. Huang, Y.H. Kao, R.N. Bhargava, D. Gallagher. Phys. Rev. B, 50 (11), 7602 (1994)
T.A. Kennedy, E.R. Glaser, P.B. Klein. Phys. Rev. B, 52 (20), 356 (1995)
S.-D. Han, J.-D. Kim, K.-S. Myung, Y.-H. Lee, H. Yang, K.C. Singh. Mater. Chem. and Phys., 103, 89 (2007)
В.Г. Корсаков, М.М. Сычев, В.В. Бахметьев. Конденсированные среды и межфазные границы, 14 (1), 41 (2012)
П.Н. Крылов, Э.А. Романов, В.М. Ветошкин. Вакуумная техника и технология, 18 (2), 75 (2008)
П.Н. Крылов, Э.А. Романов, И.В. Федотова. ФТП, 45 (1), 127 (2011)
Y. Su, L. Li, X. Liang, Q. Zhou, M. Gao, Y. Chen, Y. Feng. Mater. Lett., 62, 3310 (2008)
Y.-T. Nien, K.-H. Hwang, I.-G. Chen, K. Yu. J. Alloys Comp., 455, 519 (2008)
T. Kryshtab, V.S. Khomchenko, J.A. Andraca-Adame, L.V. Zavyalova, N.N. Roshchina, V.E. Rodionov, V.B. Khachatryan. Thin Sol. Films, 515, 513 (2006)
R. Thielsch, T. Bohme, H. Bottcher. Phys. Status Solidi A, 155 (1), 157 (1996)
Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов, Л.Н. Расторгуев. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия (М., Металлургия, 1982) с. 632
P.K. Ghosh, U.N. Maiti, S. Jana, K.K. Chattopadhyay. Appl. Surf. Sci., 253, 1544 (2006)
N. Taghavinia, H.Y. Lee, H. Makino, T. Yao. Nanotechnology, 16, 944 (2005)
L. Brus. J. Phys. Chem., 90, 2555 (1986)
И.М. Лившиц, С.А. Гредескул, Л.А. Пастур. Введение в теорию неупорядоченных систем (М., Наука, 1982) с. 360
Я.В. Кононец, Л.И. Велигура, О.А. Остроухова. ФТП, 32 (5), 549 (1998)
Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Н.Д. Данилевич. ФТП, 43 (2), 174 (2009)
Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов, М. Умаров. Докл. АН Республики Таджикистан, 51 (1), 34 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель