Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN

Лебедев А.А., Белов С.В., Мынбаева М.Г., Стрельчук А.М., Богданова Е.В., Макаров Ю.Н.¹, Усиков А.С.^2,3, Курин С.Ю.¹, Бараш И.С.¹, Роенков А.Д.¹, Козловский В.В.⁴

¹Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия Nitride Crystals Group, St. Petersburg, Russia

²Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA Nitride Crystals Inc., Deer Park, USA

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 10 марта 2015 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Диоды Шоттки диаметром ~10 мкм изготовлены на основе эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных хлор-гидридной эпитаксией (HVPE) на сапфировых подложках. Исследованы изменения параметров диодов при облучении протонами с энергией 15 МэВ. Определена скорость удаления носителей, которая составила 130-145 см^-1. Линейный характер зависимости N=f(D) (N - концентрация носителей, D - доза облучения) показывает, что компенсация связана с переходом электронов с мелких доноров на глубокие уровни, созданные первичными радиационными дефектами.

A.A. Lebedev. J. Wide Bandgap Mater., 8, 129 (2000)
Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons Inc., 2001)
T. Boles, C. Varmazis, D. Carlson, L. Xia, D. Jin, T. Palacios, G.W. Turner, R.J. Molnar. Proc CS MANTECH Conf. (New Orleans, Lousiana, 2013) p. 297
P. Roussel. Semiconductor Today, 2, 52 (2007)
I.C. Kizilyalli, A. Edwards, D. Bour, H. Shah, H. Nie, D. Disney. How2Power Today (March 2013). www.how2power.com
А.В. Соломонов, С.А. Тарасов, Е.А. Менькович, И.А. Ламкин, С.Ю. Курин, А.А. Aнтипов, И.С. Бараш, А.Д. Роенков, Х. Хелава, Ю.Н. Макаров. ФТП, 48, 259 (2014)
Lei Yong, Shi Hongbiao, Lu Hai, Chen Dunjun, Zhang Rong, Zheng Youdou. J. Semiconductors, 34, 054 007 (2012)
A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.I. Veinger, N.S. Savkina, А.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
В.В. Козловский, А.Е. Васильев, В.В. Емцев, А.А. Лебедев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 101 (2014)
А.И. Титов, П.А. Карасев, С.О. Кучеев. ФТП, 38, 1215 (2004)
A.I. Titov, S.O. Kucheyev. J. Appl. Phys., 92, 5740 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель