Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

Берт Н.А.¹, Бондарев А.Д.¹, Золотарев В.В.¹, Кириленко Д.А.¹, Лубянский Я.В.¹, Лютецкий А.В.¹, Слипченко С.О.¹, Петрунов А.Н.¹, Пихтин Н.А.¹, Аюшева К.Р.¹, Арсентьев И.Н.¹, Тарасов И.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы свойства диэлектрических покрытий SiO₂, Al₂O₃ и AlN, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления. Методом оптической эллипсометрии определены показатели преломления диэлектрических покрытий SiO₂, Al₂O₃, AlN, и показано, что нитрид алюминия является наиболее оптимальным материалом для достижения максимального просветления выходного зеркала полупроводникового лазера. Методом просвечивающей электронной микроскопии в пленках нитрида алюминия зарегистрирована кристаллическая фаза, соответствующая гексагональной атомной решетке, и содержание кислорода до 10 ат %. Установлено, что снижение концентрации остаточного кислорода в рабочей камере установки реактивного ионно-плазменного распыления позволяет исключить возникновение вертикальных пор в толще пленки нитрида алюминия.

Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35 (3), 380 (2001)
M. Ettenberg, H. Kressel. IEEE J. Quant. Electron., 16 (2), 186 (1980)
K. Siddhartha Dradhan еt al. Surf. Coat. Technol., 76 (3), 382 (2004)
T.C. Chou, T.G. Nieh, S.D. McAdams, G.M. Pharr. Scripta Met., 25 (10), 2203 (1991)
G. Hoetzsch, O. Zywitzki, H. Sahm. 40th Annual Techn. Conf. of Society of Vacuum Coaters (New Orlean, USA, 1997)
И.В. Лунев, В.Г. Падалка. Металлофиз. новейшие технол., 22 (2), 36 (2000)
А.Л. Борисова, Д.И. Адеева, В.Н. Сладкова. Автом. сварка, N 9 (534), 26 (1997)
Л.А. Крушинская, Я.А. Стельмах. Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники (19), N 6, 92 (2011)
В.В. Тесленко-Пономаренко. Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники (13), N 5, 175 (2003)
П.В. Середин, Д.Л. Голощапов, А.Н. Лукин, А.С. Леньшин, А.Д. Бондарев, И.Н. Арсентьев, Д.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 48 (11), 1564 (2014)
М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель