Вышедшие номера
Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
Калентьева И.Л.1, Звонков Б.Н.1, Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Демина П.Б.1, Дорохин М.В.1, Здоровейщев А.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Впервые экспериментально исследованы структуры с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, содержащие delta-слой магнитной примеси (Mn) на границе раздела GaAs/InGaAs. Структуры были изготовлены методом МОС-гидридной эпитаксии и лазерного осаждения на подложках проводящего (n+) и полуизолирующего GaAs в едином ростовом цикле. Изготовленные образцы различались толщиной слоя InGaAs, которая варьировалась от 1.5 до 5 нм. Обнаружено значительное влияние уменьшения толщины квантовой ямы InGaAs на оптические и магнитотранспортные свойства исследованных структур. При этом наблюдается нелинейный характер магнитополевой зависимости сопротивления Холла и отрицательное магнетосопротивление при температурах ≤30-40 K, циркулярная поляризация электролюминесценции в магнитном поле, противоположное поведение интенсивностей фотолюминесцентного и электролюминесцентного излучения структур, а также возрастание вклада непрямых переходов при уменьшении толщины InGaAs. С использованием моделирования показано, что указанные эффекты могут быть обусловлены влиянием delta-слоя акцепторной примеси (Mn) на зонную структуру и распределение концентрации дырок в двухслойной квантовой яме.