Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тандемные фотовольтаические ячейки с композитным соединительным слоем

Травкин В.В.¹, Пахомов Г.Л.^1,2, Лукьянов А.Ю.¹, Стужин П.А.³

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Ивановский государственный химико-технологический университет, Иваново, Россия Ivanovo State University of Chemistry and Technology, Ivanovo, Russia

Ivanovo State University of Chemistry and Technology, Ivanovo, Russia

Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изготовлены тандемные фотовольтаические ячейки, содержащие последовательно соединенные субъячейки состава "оксид-низкомолекулярный полупроводник-металл". В качестве низкомолекулярных полупроводников использовались два красителя фталоцианинового ряда, SubPc и PcVO, металл - Al или Mg : Ag. Для соединения субъячеек применялся полупрозрачный композитный металл/оксидный слой Al/MoO_x. Дополнительно слой оксида молибдена MoO_x использовался как анодный буфер во фронтальной субъячейке, а фторид лития LiF - в качестве подкатодного слоя во фронтальной и тыловой ячейках. При оптимизации толщин неорганических слоев эдс холостого хода V_oc тандемных ячеек может достигать 1.6 В за счет полного сложения вкладов каждой из субъячеек при широком спектральном покрытии от 300 до 1000 нм. Коэффициент заполнения тандемной ячейки не хуже чем в моноячейках (изготовленных отдельно) или в субъячейках, измеренных в составе тандемной структуры.

Ch.A. Dearden, M. Walker, N. Beaumont, I. Hancox, N.K. Unsworth, P. Sullivan, Ch.F. Mc Conville, T.S. Jones. Phys. Chem. Chem. Phys., 16, 18 926 (2014)
S. Rajaputra S. Vallurupalli, V.P. Singh. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 18, 1147 (2007)
G.L. Pakhomov, V.V. Travkin, A.Yu. Luk'yanov, Dongge Ma. Synth. Met., 200, 99 (2015)
C.Y. Kwong, A.B. Djurisic, P.C. Chui, L.S.M. Lam, W.K. Chan. Appl. Phys. A, 77, 555 (2003)
H.-S. Shim, S.-Y. Kim, J.W. Kim, T.-M. Kim, C.-H. Lee, J.-J. Kim. Appl. Phys. Lett., 102, 203 903 (2013); J.P. Mudrick, W. Cao, J. Li, J. Xue. Organic Electron., 15, 3024 (2014)
D. Cheyns, B. P. Rand, P. Heremans. Appl. Phys. Lett., 97, 033 301 (2010)
J.-C. Ke, Y.-H. Wang, K.-L. Chen, C.-J. Huang. Sol. Energy. Mater. Solar. Cells, 133, 248 (2015)
X. Tong, B.E. Lassiter, S.R. Forrest. Organic Electron., 11, 705 (2010); N. Li, B.E. Lassiter, R.R. Lunt, G. Wei, S.R. Forrest. Appl. Phys. Lett., 94, 023 307 (2009)
Г.Л. Пахомов, В.В. Травкин, А.Н. Тропанова, А.И. Машин, А.А. Логунов. Рос. нанотехнологии, 9, 69 (2014)
B.В. Травкин, Г.Л. Пахомов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Машин, А.А. Логунов. ФТП, 49 (1), 138 (2015)
L. Cattin, F. Dahou, Y. Lare, M. Morsli, R. Tricot, S. Houari, A. Mokrani, K. Jondo, A. Khelil, K. Napo, J.C. Bern\`ede. J. Appl. Phys., 105, 034 507 (2009)
V. Shrotriya, G. Li, Y. Yao, C.-W. Chu, Y. Yang. Appl. Phys. Lett., 88, 073 508 (2006)
Y. Kinoshita, R. Takenaka, H. Murata. Appl. Phys. Lett., 92, 243 309 (2008)
Y. Zhao, J. Chen, W. Chen, D. Ma. J. Appl. Phys., 111, 043 716 (2012)
I. Hancox, K.V. Chauhan, P. Sullivan, R.A. Hatton, A. Moshar, C.P.A. Mulcahy, T.S. Jones. Energy Environ. Sci., 3, 107 (2010)
W.-C. Su, C.-C. Lee, S.-W. Liu, C.-F. Lin, C.-C. Chou, B.-Y. Huang, C.-W. Cheng. J. Appl. Phys., 53, 03CE02 (2014)
D.W. Zhao, X.W. Sun, C.Y. Jiang, A.K.K. Kyaw, G.Q. Lo, D.L. Kwong. Appl. Phys. Lett., 93, 083 305 (2008)
Y. Yuan, J. Huang, G. Li. Green, 1, 65 (2011)
Irfan, A.J. Turinske, Zh. Bao, Y. Gao. Appl. Phys. Lett., 101, 093 305 (2012); Irfan, Y. Gao. J. Photon. Energy, 2, 021 213 (2012)
M. Kroger, S. Hamwi, J. Meyer, T. Riedl, W. Kowalsky, A. Kahn. Appl. Phys. Lett., 95, 123 301 (2009); J. Meyer, A. Shu, M. Kroger, A. Kahn. Appl. Phys. Lett., 96, 133 308 (2010)
T.-H. Lai, S.-W. Tsang, J.R. Manders, S. Chen, F. So. Mater. Today, 16, 424 (2013)
Irfan, H. Ding, Y. Gao, D.Y. Kim, J. Subbiah, F. So. Appl. Phys. Lett., 96, 073 304 (2010)
M. Vasilopoulou, L.C. Palilis, D.G. Georgiadou, S. Kennou, I. Kostis, D. Davazoglou, P. Argitis. Appl. Phys. Lett., 100, 013 311 (2012)
Z. Zhang, Y. Xiao, H. Wei, G.-F. Ma, S. Duhm, Y.-Q. Li, J.-X. Tang. Appl. Phys. Exp., 6, 095 701 (2013)
T.M. Brown, R.H. Friend, I.S. Millard, D.J. Lacey, T.Butler, J.H. Burroughes, F. Caciallia. J. Appl. Phys., 93, 6159 (2003)
H. Kim, M. Shin, Y. Kim. Europhys. Lett., 84, 58 002 (2008)
B.F. Bory, P.R.F. Rocha, R.A.J. Janssen, H.L. Gomes, D.M. De Leeuw, S.C.J. Meskers. Appl. Phys. Lett., 105, 123 302 (2014)
E.D. G owacki, K.L. Marshall, C.W. Tang, N.S. Sariciftci. Appl. Phys. Lett., 99, 043 305 (2011)
Ch.J. Brabec, S.E. Shaheen, Ch. Winder, N.S. Sariciftci, P. Denk. Appl. Phys. Lett., 80, 1288 (2002)
D. Cheyns, M. Kim, B. Verreet, B.P. Rand. Appl. Phys. Lett., 104, 093 302 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель