XIX симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах
Пузанов А.С.1, Оболенский С.В.1, Козлов В.А.1,2, Волкова Е.В.1, Павельев Д.Г.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.
Проведен анализ процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при попадании быстрого нейтрона в область пространственного заряда полупроводникового диода. Рассчитан импульс тока, формируемый вторичными электронами, и определен спектр сигнала, генерируемого диодом (детектором) при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления. Обсуждается возможность экспериментального детектирования радиационно-индуцированных переходных процессов пикосекундной длительности.
- В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники (М., Физматгиз, 1963)
- С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 4, 49 (2003)
- С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 33 (6), 153 (2004)
- Е.В. Волкова, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ. Сер.: Радиофизика, 4, 64 (2013)
- Р.Ф. Коноплева, В.Н. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием (М., Атомиздат, 1975)
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
- Д. Ланг. Радиационные дефекты в соединениях AIIIBV (М., Мир, 1979)
- Л.С. Смирнов. Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977)
- М. Томсон. Дефекты и радиационные повреждения в металлах (М., Мир, 1971)
- M. Bertolotti. J. Appl. Phys., 12, 2645 (1967)
- E.W. Mitchell, C.J. Norris. Phys. Soc. Simp. (Japan, 1966) p. 2992
- G. Dlubek, A. Dlubek, R. Krause, O. Brummer. Phys. Status Solidi, 1, 111 (1988)
- Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Вопросы атомной науки и техники. Сер.: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 1--2, 46 (2004)
- В.П. Кладько, В.П. Пляцко. ФТП, 32, 261 (1998)
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
- Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
- А.И. Болоздыня, И.М. Ободовский. Детекторы ионизирующих частиц и излучений. Принципы и применения (Долгопрудный, Изд. дом Интеллект", 2012)
- С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 6, 31 (2002)
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
- Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 797 (1971)
- J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco et al. Science, 264, 553 (1964)
- L. Li, L. Chen, J. Zhu et al. Electron. Lett., 50, 309 (2014)
- Д.Г. Павельев, Ю.И. Кошуринов, А.С. Иванов, А.Н. Панин, В.Л. Вакс, В.И. Гавриленко, А.В. Антонов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП, 46, 125 (2012)
- A.M. Belyantsev, V.A. Kozlov, V.I. Piskaryov. Infr. Phys., 21, 79 (1981)
- А.Н. Агалаков, Н.Ф. Асмолова, Д.В. Букин и др. IX Межотраслевая конф. по радиационной стойкости (Снежинск, 2010) т. 2, с. 83
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 49, 71 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
