Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами

Самарцев И.В.¹, Алешкин В.Я., Дикарева Н.В.¹, Дубинов А.А.^2,3, Звонков Б.Н.¹, Колпаков Д.А.¹, Некоркин С.М.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведена оптимизация лазерных структур InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами с целью сужения диаграммы направленности излучения. В созданных лазерах расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, уменьшена до 28^o.

С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Д. Бондарев, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, П.С. Копьев, И.С. Тарасов. ФТП, 47 (8), 1082 (2013)
A. Pietrzak, P. Crump, H. Wenzel, G. Erbert, F. Bugge, G. Trankle. J. Select. Topics. Quant. Electron., 17, 1715 (2011)
В.И. Швейкин, В.А. Геловани. Квант. электрон., 32 (8), 683 (2002)
В.А. Геловани, А.П. Скороходов, В.И. Швейкин. Высокомощные диодные лазеры нового типа (М., URSS: КомКнига, 2005)
B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 98, 026 107 (2005)
D.R. Scrifers, W. Streifer, R.D. Burnham. Appl. Phys. Lett., 29, 23 (1976)
В.Я. Алешкин, Т.С. Бабушкина, А.А. Бирюков, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, М.Н. Колесников, С.М. Некоркин. Квант. электрон., 40 (10), 855 (2010)
В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.Н. Яблонский. Квант. электрон., 43 (5), 401 (2013)
В.Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.В. Морозов, С.М. Некоркин. ФТП, 47 (11), 1486 (2013)
И. А. Авруцкий, Е.М. Дианов, Б.Н. Звонков, Н.Б. Звонков, И.Г. Малкина, Г.А. Максимов, Е.А. Ускова. Квант. электрон., 24 (2), 123 (1997)
Н.Б. Звонков, С.А. Ахлестина, А.В. Ершов, Б.Н. Звонков, Г.А. Максимов, Е.А. Ускова. Квант. электрон., 26 (3), 217 (1999)
Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
O. Madelung. Semiconductors: Data Handbook (Springer--Verlag, 2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель