Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рост скорости рекомбинации Шокли-Рида-Холла в квантовых ямах InGaN/GaN как основной механизм падения эффективности светодиодов при высоких уровнях инжекции

Бочкарева Н.И.¹, Ребане Ю.Т.¹, Шретер Ю.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 марта 2015 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

PDF версия

Показано, что падение эффективности GaN-светодиодов с увеличеием тока через светодиод (droop effect) вызвано уменьшением безызлучательного времени жизни Шокли-Рида-Холла. Время жизни уменьшается с током, так как все большее число ловушек в хвостах плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN становится центрами безызлучательной рекомбинации при приближении квазиуровней Ферми к краям зон. Это следует из обнаруженной корреляции между падением эффективности и появлением отрицательной дифференциальной емкости. Последняя возникает в результате инерционности процесса перезарядки ловушек посредством туннелирования электронов с участием ловушек сквозь n-барьер квантовой ямы и идуктивного характера изменения тока диода при изменении прямого смещения.

Y.C. Shen, G.O. Mueller, S. Watanabe, N.F. Gardner, A. Munkholm, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 91, 141 101 (2007)
J. Iveland, L. Martinelly, J. Peretti, J.S. Speck, C. Weisbuch. Phys. Rev. Lett., 110, 177 406 (2013)
J. Iveland, M. Piccardo, L. Martinelly, J. Peretti, J.W. Choi, N. Young, S. Nakamura, J.S. Speck, C. Weisbuch. Appl. Phys. Lett., 105, 052 103 (2014)
N.I. Bochkareva, V.V. Voronenkov, R.I. Gorbunov, A.S. Zubrilov, Y.S. Lelikov, P.E. Latyshev, Y.T. Rebane, A.I. Tsyuk, Y.G. Shreter. Appl. Phys. Lett., 96, 133 502 (2010)
M. Pavesi, M. Manfredi, F. Rossi, M. Meneghini, E. Zanoni, U. Zehnder, U. Strauss. Appl. Phys. Lett., 89, 041 917 (2006)
M. Peter, A. Laubsch, W. Bergbauer, T. Meyer, M. Sabathil, J. Baur, B. Hahn. Phys. Status Solidi A, 206, 1125 (2009)
N.I. Bochkareva, Y.T. Rebane, Y.G. Shreter. Appl. Phys. Lett., 103, 191 101 (2013)
Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 48, 1107 (2014)
Н.И. Бочкарева, Д.В. Тархин, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.С. Леликов, И.А. Мартынов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 41, 88 (2007)
J. Hader, J.V. Moloney, S.W. Koch, Appl. Phys. Lett., 96, 221 106 (2010)
T.J. Badcook, S. Hammersley, D. Watson-Parris, P. Dawson, M.J. Godfrey, M.J. Kappers, C. McAleese, R.A. Oliver, C.J. Humphreys. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JK10 (2013)
Туннельные явления в твердых телах, пер. под ред. В.И. Переля (М., Мир, 1973). [ Tunneling phenomena in solids, ed. by E. Burstain, S. Lundqvist (N.Y., Plenium Press, 1969)]
C.H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M.W. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 66, 2712 (1995)
R.W. Martin, P.G. Middleton, E.P. O'Donnell, W. Van der Stricht. Appl. Phys. Lett., 74, 263 (1999)
D. Monroe, Phys. Rev. Lett., 54, 146 (1985)
Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 47, 115 (2013)
Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
M. Ershov, H.C. Liu, L. Li, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, A.K. Jonscher. IEEE Trans. Electron Devices, 45, 2196 (1998)
S.K. Jeon, J.G. Lee, E.H. Park, J. Jang, J.G. Lim, S.K. Kim, J.S. Park. Appl. Phys. Lett., 94, 131 106 (2009)
Y. Li, C.D. Wang, L.F. Feng, C.Y. Zhu, H.X. Cong, D. Li, G.Y. Zhang. J. Appl. Phys., 109, 124 506 (2011)
Р.Ф. Казаринов, В.И. Стафеев, Р.А. Сурис. ФТП, 1, 1301 (1967)
A. Rose. Concept in Photoconductivity and Allied Problems (Krieger, N.Y., 1978)
N.H. Nickel, N.M. Johnson, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. Lett., 72, 3393 (1994)
А.Г. Казанский, Е.П. Миличевич. ФТП, 18, 1819 (1984)
D.L. Gricom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
D. Han, K. Wang, L. Yang. J. Appl. Phys., 80, 2475 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель