Вышедшие номера
Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии
Макеев М.О.1, Иванов Ю.А.1, Мешков С.А.1
1Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
Email: mc.stiv@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Разработана методика оценки качества наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур с точки зрения их стойкости к диффузионной деструкции. Методом ИК-спектральной эллипсометрии выявлено диффузионное размытие слоев AlAs/GaAs гетероструктуры и определены коэффициенты диффузии Al и Si в GaAs.