Вышедшие номера
Поляризованная фотолюминесценция nc-Si-SiOx наноструктур
Михайловская Е.В.1, Индутный И.З.1, Шепелявый П.Е.1, Сопинский Н.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: sopinsky@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 9 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Впервые проведены исследования эффекта поляризационной памяти фотолюминесценции в nc-Si-SiOx светоизлучающих структурах, которые содержат наночастицы кремния (nc-Si) в матрице окисла. Исследовались поляризационные свойства сплошных и пористых наноструктур, пассивированных в парах (или растворе) HF. Установлено, что эффект поляризационной памяти проявляется лишь после обработки этих структур в HF, что сопровождается также коротковолновым сдвигом максимума фотолюминесценции и существенным повышением ее интенсивности. В анизотропных пористых nc-Si-SiOx образцах, полученных с помощью наклонного осаждения в вакууме, наблюдается также заметная ориентационная зависимость степени линейной поляризации фотолюминесценции в плоскости образца, которая коррелирует с ориентацией наноколонн SiOx, формирующих структуру пористого слоя. Эти эффекты связываются с трансформацией наночастиц симметричной формы в асимметричные удлиненные nc-Si при травлении их в HF. В сплошных слоях nc-Si ориентированы хаотично, а в пористых структурах их преимущественная ориентация совпадает с ориентацией оксидных наноколонн.