Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поляризованная фотолюминесценция nc-Si-SiO_x наноструктур

Михайловская Е.В.¹, Индутный И.З.¹, Шепелявый П.Е.¹, Сопинский Н.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Email: sopinsky@isp.kiev.ua

Поступила в редакцию: 9 февраля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые проведены исследования эффекта поляризационной памяти фотолюминесценции в nc-Si-SiO_x светоизлучающих структурах, которые содержат наночастицы кремния (nc-Si) в матрице окисла. Исследовались поляризационные свойства сплошных и пористых наноструктур, пассивированных в парах (или растворе) HF. Установлено, что эффект поляризационной памяти проявляется лишь после обработки этих структур в HF, что сопровождается также коротковолновым сдвигом максимума фотолюминесценции и существенным повышением ее интенсивности. В анизотропных пористых nc-Si-SiO_x образцах, полученных с помощью наклонного осаждения в вакууме, наблюдается также заметная ориентационная зависимость степени линейной поляризации фотолюминесценции в плоскости образца, которая коррелирует с ориентацией наноколонн SiO_x, формирующих структуру пористого слоя. Эти эффекты связываются с трансформацией наночастиц симметричной формы в асимметричные удлиненные nc-Si при травлении их в HF. В сплошных слоях nc-Si ориентированы хаотично, а в пористых структурах их преимущественная ориентация совпадает с ориентацией оксидных наноколонн.

C.Y. Chen, J.H. Huang, K.Y. Lai, Y.J. Jen, C.P. Liu, J.H. He. Opt. Express, 20 (3), 2015 (2012)
J. Wang, M.S. Gudiksen, X. Duan, Y. Cui, C.M. Lieber. Science, 293 (5534), 1455 (2001)
J. Qi, A.M. Belcher, J.M. White. Appl. Phys. Lett., 82 (16), 2616 (2003)
C.X. Shan, Z. Liu, S.K. Hark. Phys. Rev. B, 74 (15), 153 402 (2006)
H.Y. Chen, Y.C. Yang, H.W. Lin, S.C. Chang, S. Gwo. Opt. Express, 16 (17), 13 465 (2008)
D. Kovalev, M. Ben Chorin, J. Diener, F. Koch, Al.L. Efros, M. Rosen, N.A. Gippius, S.G. Tikhodeev. Appl. Phys. Lett., 67 (11), 1585 (1995)
G. Polisski, A.V. Andrianov, D. Kovalev, F. Koch. Brazilian J. Phys., 26 (1) 189, (1996)
J. Diener, D. Kovalev, G. Polisski, N. Kufnzner, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 224 (1), 297 (2001)
B. Bruhn, J. Valenta, J. Linnros. Nanotechnology, 20, 505 301 (5pp) (2009)
J. Valenta, R. Juhasz, J. Linnros. J. Luminesc., 98, 15 (2002)
M. Molinary, H. Rinnert, H. Vergnat. Appl. Phys. Lett., 82 (22), 3877 (2003)
J. Heitmann, F. Muller, M. Zacharias, U. Gesele. Adv. Mater., 17, 795 (2005)
И.З. Индутный, Е.В. Михайловская, П.Е. Шепелявый, В.А. Данько. ФТП, 44 (2), 218 (2010)
K. Sato, K. Hirakuri. J. Appl. Phys., 97 (10), 104 326 (2005)
В.А. Данько, I.З. Iндутний, I.Ю. Майданчук, В.I. Минько, П.С-4.5pt-. Шепелявий, В.О. Юхимчик. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 39, 65 (2004)
V.A. Dan'ko, V.Ya. Bratus', I.Z. Indutnyi, I.P. Lisovskyy, S.O. Zlobin, K.V. Michailovska, P.E. Shepeliavyi. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 13 (4), 413 (2010)
M.V. Sopinskyy, I.Z. Indutnyi, K.V. Michailovska, P.E. Shepeliavyi, V.M. Tkach. Semiconduc. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 14 (3), 273 (2011)
И.П. Лисовский, И.З. Индутный, Б.Н. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, А.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. ФТП, 37 (1), 98 (2003)
W.H. Zheng, J.B.Xia, K.W. Cheah. J. Phys.: Condens. Matter, 9 (24), 5105 (1997)
H.E. Ruda, A. Shik. Phys. Rev. B, 72 (11), 115 308 (2005)
G. Allan, C. Delerue, Y.M. Niquet. Phys. Rev. B, 63 (20), 205 301 (2001)
S. Horiguchi. Superlat. Microstruct., 23 (2), 355 (1998)
S. Horiguchi, Y. Nakajima, Y. Takahashi, M. Tabe. Jpn. J. Appl. Phys., 34 (10), 5489 (1995)
A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57 (10), 1046 (1990)
S. Schuppler, S.L. Friedman, M.A. Marcus, D.L. Adler, Y.-H. Xie, F.M. Ross, T.D. Harris, W.L. Brown, Y.J. Chabal, L.E. Brus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 72 (16), 2648 (1994)
S.H. Tolbert, A.B. Herhold, L.E. Brus, A.P. Alivisatos. Phys. Rev. Lett., 76 (23), 4384 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель