Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование поверхности GaAs после травления в плазме высокочастотного и тлеющего разрядов методом атомно-силовой микроскопии

Дунаев А.В.¹, Мурин Д.Б.¹, Пивоваренок С.А.¹

¹НИИ Т и К Ивановского государственного химико-технологического университета, Иваново, Россия

Email: dunaev-80@mail.ru

Поступила в редакцию: 21 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

PDF версия

Проведено исследование качества поверхности полупроводниковой структуры после плазмохимического травления в плазме смесей HCl/Ar, HCl/Cl₂, HCl/H₂ и плазме фреона R12. Показано, что оптимальное сочетание скорости травления и шероховатости поверхности достигается в смеси хлористого водорода с аргоном. В смесях с водородом скорости травления слишком малы при хорошем качестве поверхности, а в смесях с хлором из-за больших скоростей травления шероховатость поверхности превышает допустимые в технологии значения. Высокочастотный разряд в фреоне R12 можно эффективно использовать для травления полупроводников, обеспечивая технологически приемлемые скорости взаимодействия, при этом сохраняя равномерную и чистую поверхность.

В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники: уч. для студ. вузов по спец. электронной техники (СПб., Лань, 2001) с. 167
D.S. Rawal, B.K. Sehgal, R. Muralidharan, H.K. Malik. Plasma Sci. Technol., 13 (2), 223 (2011)
А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, А.М. Ефремов, В.И. Светцов. Изв. вузов. Химия и хим. технология, 53 (5), 53 (2010)
А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, О.А. Семенова, С.П. Капинос, А.М. Ефремов, В.И. Светцов. ФХОМ, N 6, 42 (2010)
А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, А.М. Ефремов, В.И. Светцов. Микроэлектроника, 40 (6), 413 (2011)
Ю.В. Корякин, И.И. Ангелов. Чистые химические вещества (М., Химия, 1974) с. 84, 186
А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, А.М. Ефремов, В.И. Светцов. Нанотехника, 25 (1), 69 (2011)
А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, С.П. Капинос. ФХОМ, N 1, 44 (2013)
А.В. Дунаев. Микроэлектроника, 43 (1), 17 (2014)
E. Dale, D.E. Ibbotson. Pure Appl. Chem., 60 (5), 703 (1988)
H.P. Gillis, D.A. Choutov, K.P. Martin, Li Song. Appl. Phys. Lett., 68, 2475 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель