Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs 1
Хабибуллин Р.А.1, Ячменев А.Э.1, Лаврухин Д.В.1, Пономарев Д.С.1, Бугаев А.С.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
Email: khabibullin@isvch.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.
Проведено исследование электронного транспорта и оптических свойств в структурах с нанонитями из атомов олова (Sn-НН) на вицинальных подложках GaAs с углами разориентации 0.3 и 3o относительно точной ориентации (100). На вольт-амперных характеристиках образцов обнаружена анизотропия тока насыщения при протекании тока вдоль (ориентация ||) и поперек (ориентация normal ) Sn-НН: для гомоструктур отношение токов I||/I normal ~ 1.2, для PHEMT-структур I||/I normal ~ 2.5. В реальном масштабе времени проведены исследования колебаний тока в зависимости от тянущего напряжения и светового воздействия при протекании тока перпендикулярно Sn-НН. Показана явная анизотропия частотных характеристик PHEMT.
- J.P. Leburton. J. Appl. Phys., 56, 2850 (1984)
- U. Bockelmann, G. Bastard. Phys. Rev. B, 42 (14), 8947 (1990)
- Z.C. Lin, W.H. Hsieh, C.P. Lee, Y.W. Suen. Nanotechnology, 18, 075 403 (2007)
- H. Li, T.D. Race, M.A. Hasan. Appl. Phys. Lett., 80 (8), 1367 (2002)
- C. Thelander, L. Froberg, C. Rehnstedt, L. Samuelson, L. Wernersson. IEEE Electron. Dev. Lett., 29 (3), 206 (2008)
- K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui. Nature, 488, 189 (2012)
- X. Zhao, J. Alamo. IEEE Electron. Dev. Lett., 35 (5), 521 (2014)
- А.Я. Шик, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 22 (6), 1091 (1988)
- V. Anjos, A. Marletta. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 8715 (2006)
- A.S. Bugaev, A.E. Jachmenev, A.P. Senichkin, A.N. Klochkov. Patent RU 2520538 C1 (2014)
- A.P. Senichkin, A.S. Bugaev, A.E. Yachmenev. J. Nano- and Microsystem Technique, 11, 52 (2012)
- В.М. Осадчий. ФТП, 33 (10), 1229 (1999) [Semiconductors, 33 (10), 1119 (1999)]
- V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasilevskii, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 021 (2012)
- Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева. ФТП, 46 (4), 500 (2012) [Semiconductors, 46 (4), 484 (2012)]
- J. Kastrup, R. Klann, H.T. Grahn, K. Ploog. Phys. Rev. B, 56, 13761 (1995)
- Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (7), 932 (2015)
- R.A. Khabibullin, I.S. Vasil'evskii, D.S. Ponomarev, G.B. Galiev, E.A. Klimov, L.P. Avakyanz, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov. J. Phys.: Conf. Ser., 345, 012 015 (2012)
- Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011). [Semiconductors, 45 (5), 657 (2011)]
- Р.А. Хабибуллин, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, В.А. Кульбачинский, П.Ю. Боков, Л.П. Авакянц, А.В. Червяков, П.П. Мальцев. ФТП, 47 (9), 1215 (2012) [Semiconductors, 47 (9), 1203 (2013)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
