Вышедшие номера
Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях АIIIВV
Громов Д.В.1, Мальцев П.П.2, Полевич С.А.3
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3АО "ЭНПО Специализированные электронные системы", Москва, Россия
Email: DVGromov@mephi.ru
Поступила в редакцию: 21 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

-1 Проведены исследования возможности моделирования переходных радиационных эффектов с использованием лазерного излучения в СВЧ гетероструктурных элементах на основе полупроводниковых соединений АIIIВV. Приведены результаты лазерного моделирования переходных радиационных эффектов в псевдоморфных НЕМТ (pHEMT) на гетероструктуре AlGaAs/InGaAs/GaAs. Показано, что для адекватного моделирования переходных эффектов в приборах на подложках GaAs следует использовать лазерное излучение с длиной волны lambda= 880-900 нм с учетом доминирующих механизмов ионизации в областях транзисторов.