Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 2 » Статья стр. 254
<<<>>>
Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, облученного электронами
Соболев Н.А.1, Штельмах К.Ф.1,2, Калядин А.Е.1, Аруев П.Н.1, Забродский В.В.1, Шек Е.И.1, Yang D.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, People's Republic of China
Поступила в редакцию: 9 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.
PDF версия
Исследована электролюминесценция в светодиодных структурах n+-p-p+ на основе Si, облученного электронами и отожженного при высокой температуре. Светодиоды изготовлены путем газофазного осаждения слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором с высокой концентрацией. Трансформация спектров электролюминесценции в зависимости от тока в светодиодах хорошо описывается шестью гауссовыми кривыми. Положения максимумов этих кривых не зависят от тока и равны 1233, 1308, 1363, 1425, 1479, 1520 нм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности электролюминесценции и полуширины линий от тока.
  1. B. Zheng, J. Michel, F.Y.G. Ren, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 64, 2842 (1994)
  2. L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1169 (2003)
  3. J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L. Kimerling, J. Michel. Optics Lett., 35, 679 (2010)
  4. Н.А. Соболев. ФТП, 44, 3 (2010)
  5. V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10520 (1995)
  6. M. Acciari, S. Binetti, O.V. Feklisova, E.A. Steinman, E.B. Yakimov. Sol. St. Phenomena, 95-96, 453 (2004)
  7. S. Pizzini, E. Leonti, S. Binetti, M. Acciarri, A. Le Donne, B. Pichaud. Sol. St. Phenomena, 95-96, 273 (2004)
  8. E.O. Sveinbjornsson, J. Weber. Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)
  9. V.V. Kveder, E.A. Steiman, H.G. Grimmeiss. J. Appl. Phys., 78, 446 (1995)
  10. N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel\`yanov. Appl. Phys. Lett., 72, 3326 (1998)
  11. V. Kveder, V. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Zeibt, W. Schreter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
  12. L. Xiang, D. Li, L. Jin, D. Yang. Sol. St. Commun., 152, 1956 (2012)
  13. L. Xiang, D. Li, L. Jin, S. Wang, D. Yang. J. Appl. Phys., 113, 033 518 (2013)
  14. N.A. Sobolev, P.N. Aruev, A.E. Kalyadin, E.I. Shek, V.V. Zabrodskiy, A.S. Loshachenko, K.F. Shtel\`makh, V.I. Vdovin, A. Medvids, L. Xiang, D. Yang. Sol. St. Phenomena, 205-206, 305 (2014)
  15. Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
  16. M. Suezawa, K. Sumino. Phys. Status Solidi A, 78, 639 (1983)
  17. G.P. Watson, J.L. Benton, Y.-H. Hie, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 83, 3773 (1998)
  18. R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.H. Kurster, H. Alexander. Appl. Phys. A, 36, 1 (1985)
  19. Э.А. Штейнман. ФТТ, 47, 9 (2005)
  20. R. Sauer, Ch. Kisielowski-Kemmerich, H. Alexander. Phys. Rev. Lett., 57, 1472 (1986)
  21. Р. Смит. Полупроводники. 2-е изд. Пер. с англ. под ред. Н.А. Пенина (М., Мир, 1982)
  22. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. ФТП, 39, 1271 (2005)
  23. S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme