Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, a-SiO_x:H (0<x<2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе

Ундалов Ю.К.¹, Теруков Е.И.^1,2, Гусев О.Б., Трапезникова И.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: undalov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 14 мая 2015 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

PDF версия

Проведены исследования по активации процесса формирования аморфных нанокластеров кремния в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния путем применения модулированной во времени плазмы разряда на постоянном токе (DC). Модуляция плазмы осуществлялась многократным включением и выключением катушки магнита DC-магнетрона. Показано, что возникающий при этом эффект самоиндукции приводит в итоге к увеличению вероятности столкновения электронов разряда с газообразными компонентами. Анализ инфракрасных спектров пленок показал, что модуляция плазмы увеличивает содержание преимущественно мостикового кислорода в матрице a-SiO_x:H за счет усиления процесса ионизации кислорода. Предполагается, что это также увеличивает концентрацию нанокластеров кремния (ncl-Si) с окисленной внешней поверхностью в плазме, тем самым усиливая поток ncl-Si в сторону электродов DC-магнетрона. Спектры фотолюминесценции содержат две широкие перекрывающиеся полосы, характерные для аморфных ncl-Si, с максимумами, располагающимися в диапазоне 600-1000 нм.

А.И.Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии (М., Физматгиз, 2007)
И.П. Суздалев. Нанотехнология: Физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов (М., Книжный дом "ЛИБРОКОМ", 2009)
И.П. Cуздалев. Хим. физика, 22, 69 (2003)
О.Б. Гусев, А.Н. Поддубный, А.А. Прокофьев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 47, 147 (2013)
D. Guzman, U. Corona, M. Cruz. J. Luminesc., 102-103, 487 (2003)
F. Fogarassy, A. Slaoui, M. Froment. Phys. Rev. B, 37, 6468 (1988)
H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, T. Nakagiri. Appl. Phys. Lett., 56, 2379 (1990)
Y. Rui, D. Chen, J. Xu, Y. Zhang, L. Yang, J. Mei, Z. Ma, Z. Cen, W. Li, L. Xu, X. Huang, K. Chen. J. Appl. Phys., 98, 033 532 (2005)
R.N. Carlile, S. Geha, J.F. O'Hanlon, J.C. Stewart. Appl. Phys. Lett., 59, 1167 (1991)
B. Drevillon, J. Perrin, J.M. Siefert, J. Huc, A. Lioret, G. de Rosny, P.M. Schmitt. Appl. Phys. Lett., 42, 801 (1983)
Т.Т. Корчагина, Д.В. Марин, В.А. Володин, А.А. Попов, M. Vergnat. ФТП, 43, 1557 (2009)
L. Boufendi, J. Hermann, A. Bouchoule, B. Dubreuli, S. Stoffele, W.W. Stoffels, M.L. de Giorgi. J. Appl. Phys., 76, 148 (1994)
D.M. Tanenbaum, A.L. Laracuente, Alan Gallagher. Appl. Phys. Lett., 68, 1705 (1996)
Y. Watanabe, M. Shiratani. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 3074 (1993)
S.J. Choi, M.J. Kushner. J. Appl. Phys., 74, 853 (1993)
М.А. Олеванов, Ю.А. Манкелевич, Т.В. Рахимова. ЖЭТФ, 125, 324 (2004)
Ch. Hollenstein, J.L. Dorier, J. Dutta, L. Sansonnens, A.A. Howling. Plasma Sources Sci. Technol., 3, 278 (1994)
М.А. Олеванов, Ю.А. Манкелевич, Т.В. Рахимова. ЖЭТФ, 123, 503 (2003)
Б.С. Данилин, В.К. Сырчин. Магнетронные распылительные системы (М., Радио и связь, 1982)
L. Boufendi, M.Ch. Jouanny, E. Kovacevic, J. Berndt, M.M. Kikian. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 174 035 (2011)
L. Couedel, M.M. Mikikian, L. Boufendi, A.A. Samarian. Phys. Rev. E, 74, 026 403 (2006)
L. Couedel, A.A. Samarian, M. Mikikian, L. Boufendi. Phys. Plasmas, 15, 063 705 (2008)
L. Boufendi, A. Plain, J.Ph. Blondean, A. Bouchoule, C. Laure, M. Toogood. Appl. Phys. Lett., 60, 169 (1992)
L. Boufendi, J. Hermann, A. Bouchoule, B. Dubreuli, E. Stoffels, W.W. Stoffels, M.L. de Giorgi. J. Appl. Phys., 76, 148 (1994)
L. Boufendi, J. Gaudin, S. Huet, G. Viera, M. Dudemaine. Appl. Phys. Lett., 79, 4301 (2001)
Ch. Hollenstein, A.A. Howling, C. Courteille, D. Magni, S.M. Scholz, G.M.W. Kroesen, N. Simons, W. de Zeeuw, W. Schwarzenbach. J. Phys. D: Appl.Phys., 31, 74 (1998)
G. Lucovsky, J. Yang, S.S. Chao, J.E. Tyler, W. Czubatyi. Phys. Rev. B, 28, 3225 (1983)
M.H. Brodsky, M. Cardona, J.J. Guomo. Phys. Rev. B, 16, 3556 (1977)
J.C. Knights, R.A. Street, G. Lucovsky. J. Non-Cryst. Sol., 35-36, 279 (1980)
P.G. Pai, S.S. Chao, Y. Takagi, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 689 (1986)
G. Lucovsky. Solid State Commun., 29, 571 (1979)
M.A. Paesler, D.A. Anderson, E.C. Freeman, G. Moddel, W. Paul. Phys. Rev. Lett., 41, 1492 (1978)
G. Lucovsky, W.B. Pollard. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 313 (1983)
D.V. Tsu, G. Lucovsky, B.N. Davidson. Phys. Rev. B, 40, 1795 (1989)
F.L. Galeener, G. Lucovsky. Phys. Rev. Lett., 37, 55 (1970)
Y. Kanzawa, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Phys.: Condens. Matter., 8, 4823 (1996)
G. Lucovsky, J.E. Tyler. J. Non-Cryst. Sol., 75, 429 (1985)
C. Biasotto, A.M. Dalrini, R.C. Teixeira, F.A. Bascoli, J.A. Diniz, S.A. Moshkalev, I. Doi. J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 1166 (2007)
L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
R. Carius, R. Fischer, E. Holzenkampfer, J. Stuke. J. Appl. Phys., 52, 4241 (1981)
W.D.A.M. de Boer, D. Timmerman, K. Dohnalova, I.N. Yassievich, H. Zhang, W.J. Buma, T. Gregorkiewiecz. Nature Nanotechnology, 5, 878 (2010)
M.P. Garrity, T.W. Peterson, J.F. O'Hanlon. J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 550 (1996)
Л. Лeб. Основные процессы электрических разрядов в газах (М., Л., Гос. изд-во техн.-теорет. лит., 1950)
T. Fukuzawa, S. Kushima, Y. Matsuoka, M. Shiratani, Y. Watanabe. J. Appl. Phys., 86, 3543 (1999)
A. Bouchoule, A. Plain, L. Boufendi, J.Ph. Blondeau, C. Laure. J. Appl. Phys., 70, 1991 (1991)
M.T. Swihart, S.L. Girshick. J. Phys. Chem. B, 103, 64 (1999)
K. Koga, Y. Matsuoka, K. Tanaka, M. Shiratani, Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 77, 196 (2000)
G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett., 78, 3161 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель